Репрограммируемый

Cтраница 2

Кодоимпульсный микропроцессор с жестким программированием на примере БИС серии К580. [16]

По способу программирования микропроцессоры удобно разделить на микропроцессоры с жестким и гибким программированием. Уровень гибкости программ в МАП определяется типом микропроцессора и программной памяти; соответственно МАП могут быть непрограммируемые и репрограммируемые с жестким и гибким программированием. [17]

Память программ CSEG адресуется 16-разрядным счетчиком PC и, следовательно, может иметь объем до 64К байт. Часть этой памяти ( 4К / 8К байт с младшими адресами) может быть расположена на кристалле в виде программируемого маской ПЗУ или репрограммируемого электрически УСППЗУ. Она образует внутреннюю память программ. Оставшаяся часть, реализуемая внешними средствами вне кристалла, называется внешней памятью программ. С точки зрения программиста как внутренняя, так и внешняя память представляет собой единое пространство CSEG с равными правами доступа. [18]

Временная диаграмма процесса считывания информации микропроцессором МС 6802 при тактовой частоте системы, равной 1 МГц. [19]

ОЗУ, выполненные на базе КМОП-тех-нологии, характеризуются тем, что в состоянии покоя, т.е. при постоянных входных сигналах, потребляют ток в пределах микроампер. Следовательно, в этом состоянии длительное время их можно питать от батареи; при этом получается функциональный аналог ПЗУ, который в отличие от репрограммируемых ПЗУ ( РПЗУ) обеспечивает более простую процедуру программирования и стирания информации. [20]

Для стирания информации БИС подвергают воздействию ультрафиолетового излучения, которое ионизируют изолирующую прослойку, что вызывает стекание заряда с затвора. Поскольку процедуры стирания информации вызывают старение изолирующей прослойки, число записей в репрограммируемое ПЗУ ограничено. Существуют репрограммируемые ПЗУ и с электрическим способом стирания информации. [21]

Такого рода соединения обеспечиваются за счет диодов или транзисторов. Информация в ПЛМ заносится путем установления соединений между горизонтальными и вертикальными цепями матриц. Этот процесс называется программированием матриц. По способу программирования различают ПЛМ с масочным и электрическим программированием, а также репрограммируемые ПЛМ. [22]

Программируемые ПЗУ ( ППЗУ) с плавкими перемычками выпускают в незапрограммированном состоянии, соответствующем 0 или 1 во всех элементах памяти. Программирование осуществляется потребителем на специальном устройстве-программаторе путем пережигания перемычек электрическим током по специальной программе. В дальнейшем изменение информации, занесенной в ППЗУ, возможно лишь в одном направлении - путем пережигания перемычек, оставшихся после предыдущего программирования. Репрограммируемые ПЗУ ( РПЗУ) позволяют многократно изменять занесенную в них информацию. В РПЗУ с электрическим стиранием информации в качестве матричных ячеек ( элементов) памяти используются полевые транзисторы с изолированным затвором. В РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием используются МОП-транзисторы. Это приводит к изменению порогового напряжения. Для перезаписи информации заряд удаляется из диэлектрика облучением кристалла ультрафиолетовым светом, вызывающим фотоэффект. [23]

Страницы: 1 2