Максимально допустимое значение - напряжение
Cтраница 1
Максимально допустимые значения напряжений между электродами полупроводникового прибора определяются в первую очередь условиями электрической прочности. При определении значений максимально допустимых напряжений приходится учитывать возможность электрического пробоя перехода в объеме и на поверхности, отсутствие эффекта смыкания ( прокола), отсутствие влияния лавинного размножения носителей в коллекторе на коэффициент передачи тока и другие факторы. С учетом этих факторов, а также с учетом запасов прочности максимально допустимое напряжение может оказаться существенно меньше напряжения пробоя одиночного перехода. [1]
Определение максимально допустимых значений напряжения и тока импульса управления производится исходя из допустимой мощности импульса управления для тиристоров с граничными вольт-амперными характеристиками цепи управления. [2]
Не допускается превышение максимально допустимых значений напряжений, токов, температуры, мощности рассеяния. Как правило, транзистор работает более устойчиво при неполном использовании его по напряжению и полному использованию по току. [3]
Исследуя сигналы большой амплитуды, нужно знать максимально допустимое значение напряжения, которое можно подавать на осциллограф, и чувствительность ЭЛТ к вертикальному отклонению. Иногда приходится применять осциллограф с выносным делителем напряжения или пользоваться отдельным внешним делителем. [4]
Исследуя сигнал большой амплитуды, нужно знать максимально допустимое значение напряжения сигнала, подаваемого на вход У осциллографа, и чувствительность ЭЛТ к вертикальному отклонению. Иногда приходится применять осциллограф с выносным делителем напряжения или пользоваться отдельным внешним делителем. [5]
Предельные эксплуатационные параметры ( § 15.1) - это максимально допустимые значения напряжений, токов, мощности и температуры, при которых гарантируются работоспособность транзистора и значения его электрических параметров в пределах норм технических условий. [6]
 |
Диаграмма ОБР биполярного транзистора. [7] |
Вертикальный отрезок DE, ограничивающий ОБР по напряжению, определяет максимально допустимое значение напряжения коллектор - эмиттер f / кэо. [8]
Емкостное перекрытие определяется как отношение емкости диода при минимально и максимально допустимых значениях напряжения смещения. [9]
 |
Магнитный усилитель с входной ступенью на электронной лампе. [10] |
Источник питания е для восстановления потока выбирается таким, чтобы не превышалось максимально допустимое значение напряжения на коллекторе транзистора. [11]
Для ламп, имеющих малые расстояния между сеткой и катодом, часто указываются максимально допустимые значения напряжений между ними, при которых гарантируется отсутствие электрического пробоя. [12]
 |
Механические харак-теристики.| Регулировочные характе-ристики. [13] |
Рабочая часть регулировочных характеристик заключается между соответствующим значением t / TPori и некоторым максимально допустимым значением напряжения питания t / макс. [14]
Существует порочная точка зрения, что при коротких импульсах допустимо в несколько раз превышать максимально допустимые значения напряжений и, особенно, токов. [15]
Страницы: 1 2