Максимально допустимое значение - напряжение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Человек, признающий свою ошибку, когда он не прав, - мудрец. Человек, признающий свою ошибку, когда он прав, - женатый. Законы Мерфи (еще...)

Максимально допустимое значение - напряжение

Cтраница 2


При использовании дрейфовых транзисторов следует ограничить величину напряжения источника запирающего смещения EQ так, чтобы обратное напряжение на эмиттерном переходе с учетом выбросов не превышало максимально допустимого значения напряжения, указанного в справочнике.  [16]

В реальном случае действуют оба механизма насыщения тока. Максимально допустимые значения напряжения ограничиваются значением напряжения пробоя р - - перехода.  [17]

Ice - ток потребления от источника питания Vcc - 5 В; fc - частота тактового сигнала для синхронных устройств ( для асинхронных потенциальных устройств в этой графе указана минимальная длительность tw активного уровня сигнала управления, например, сигнала загрузки L или L); tsu ( SU - Set Up-Time) - время предустановки значений информационных сигналов относительно воздействия тактового сигнала или относительно перехода асинхронного потенциального управляющего сигнала из неактивного на активный уровень ( например, сигнала загрузки L); iff ( H - Halt-Time) - время удержания значений информационных сигналов после начала воздействия управляющего сигнала. В графе VQH приведены максимально допустимые значения напряжения ИС, имеющих открытый коллекторный выход.  [18]

При выборе режима работы транзистора не допускается превышение максимально допустимых значений напряжений, токов, температуры, мощности рассеяния, указанных в предельно допустимых режимах.  [19]

Участок начального подъема статической характеристики при введении напряжения смещения Ucz исключается, и тем самым предупреждается паразитный пробой. Абсцисса, отвечающая максимуму статической характеристики, определяет собой максимально допустимое значение напряжения смещения.  [20]

В табл. 3.15 указаны условия получения пленок с ге-проводи-мостыо, в том числе максимально допустимые значения напряжения распыления.  [21]

На рис. 16.1 приведены графини изменения напряжения линейной батареи и величины искажений с увеличением длины цепи. Из этого графика следует, что длина участка непосредствен - HOiro телеграфирования / макс ограничивается максимально допустимым значением напряжения линейной батареи t / доп, в то время ка-к искажения далеко не достигают максимально допустимого значения б ( / Макс) бДОп, где бдоп - максимально допустимое значение искажения, при котором еще возможна - работа приемного аппарата, а / макс - длина участка, соответствующая максимально допустимому напряжению линейной батареи.  [22]

23 Схема совпадения И. [23]

Интегральные схемы характеризуются коэффициентом усиления, входным и выходным сопротивлением и полосой рабочих частот. Особенностью диодов и транзисторов полупроводниковых ИС является сравнительно малое допустимое рабочее обратное напряжение на переходах. При работе с элементами ИС следует учитывать, что они могут перегреваться даже при незначительном превышении напряжения источников питания сверх указанных в паспорте, так как размеры отдельных элементов и всего кристалла весьма малы. Цифровые ИС характеризуются следующими параметрами: средней задержкой распространения сигнала ( быстродействие схемы), помехоустойчивостью ( определяется максимально допустимым значением напряжения помехи, действующей на входах или выходах ИС), выходным напряжением и оптимальным сопротивлением нагрузки.  [24]



Страницы:      1    2