Решение - уравнение - непрерывность
Cтраница 2
Получена формула для расчета скорости роста эпитаксиальных слоев GaAs в систе - Ga - AsGlj - Н2 с помощью решения уравнения непрерывности с учетом диффузии тазовых компонентов через пограничный слой. Наблюдается согласие между экспериментальными скоростями роста эпитаксиальных слоев GaAs и вычисленными по предложенной формуле. [16]
Не вдаваясь в подробный анализ каждого из них, можно отметить, что наибольшей строгостью и общностью обладает метод, основанный на решении уравнений непрерывности. [17]
Подставляя dp / dx из ( 1 - 114а) в ( 1 - 108) и учитывая выражения ( 1 - 113), ( 1 - 1166) и ( 1 - 117), получаем напряженность того поля, которым пренебрегли при решении уравнения непрерывности. [18]
Подставляя dpldx из ( 1 - 1 На) в ( 1 - 108) и учитывая выражения ( 1 - 113), ( 1 - 1 166) и ( 1 - 117), получаем напряженность того поля, которым пренебрегли при решении уравнения непрерывности. [19]
Это связано с тем, что коэффициенты в уравнениях движения могут зависеть от таких величин. Поэтому для независимого решения уравнений непрерывности и движения фаз необходимо предположить, что подобные величины постоянны по слою или меняются незначительно. [20]
Выражения (2.23) и (2.24) определяют электронные составляющие плотности диффузионного тока электронов. Дырочные составляющие можно найти из решения уравнений непрерывности для эмиттерной и коллекторной областей. [21]
Если же нас интересует только плотность, то мы ограничимся решением уравнения непрерывности ( 14), которое и определяет эту плотность. [22]
Накопление неосновных носителей заряда в базе п-р - п транзистора обусловлено процессами их диффузии, дрейфа и рекомбинации. Строгий теоретический подход к анализу этих процессов заключается в решении уравнения непрерывности. При произвольном уровне инжекции уравнение непрерывности нелинейно и получить аналитическое решение для распределения п ( х, t) в базе невозможно. [23]
Соотношение (6.3) и представляет собой уравнение заряда. Оно позволяет проанализировать переходные процессы в транзисторе, не прибегая к решению уравнения непрерывности, которое значительно сложнее для использования, так как определяет распределение заряда в базе, в то время как решение уравнения (6.3) дает лишь суммарный заряд базы. Однако для вычисления токов необходимо установить связь между этим зарядом и токами в транзисторе. [24]
 |
Схема для определения времени жизни по кинетике фотопроводимости. [25] |
Коллекторный зонд устанавливается в некоторой точке на плоской поверхности нитевидного образца, по которой совершает колебательные движения световой луч. Зависимость тока коллектора от времени, определяемая величиной избыточной концентрации неосновных носителей заряда в области точечного контакта, будет описываться двумя экспоненциальными законами вида const-e - 9l z, где величины Gj и 92 различны и соответствуют одна - случаю движения светового пятна к коллектору, а вторая - случаю движения светового пятна от коллектора. Решение уравнения непрерывности дает выражение для величин 6г и 92 через рекомбинационные параметры, и можно найти, что время жизни неосновных носителей заряда выражается как т 6j - 02, а диффузионная длина L, - оУв, где v - скорость движения светового пятна относительно коллектора. [26]
Расчет параметров и характеристик дрейфовых транзисторов осложнен тем обстоятельством, что концентрация легирующей примеси в слоях транзистора зависит от координаты. Это создает серьезные математические трудности для получения расчетных соотношений на основе решения уравнения непрерывности. Получение конечных результатов в аналитической форме в этом случае возможно только для ограниченного числа упрощенных модельных задач. [27]
Для иллюстрации применения бесселевых функций к задаче о проводнике, ограниченном цилиндрической изолирующей поверхностью, вычислим распределение потенциала в сплошном проводящем круглом цилиндре, длина которого равна 2с, радиус а, удельное сопротивление т, в том случае, когда ток 7 подводится к нему при помощи электродов, имеющих вид узких кольцевых поясков, прижатых к цилиндру на расстоянии Ъ по обе стороны от его экватора. Ширину пояска будем считать настолько малой, что физически измерить ее невозможно, но в то же время отличной от нуля в математическом смысле, так что плотность тока и потенциал всюду будут конечны. Принимая экваториальную плоскость за плоскость нулевого потенциала, получаем, что решение уравнения непрерывности, остающееся конечным на оси, в соответствии с § ЗЗа гл. [28]
К физическим можно отнести модели Агаханяна и Линвилла. Каждый из элементов модели Линвилла связан с определенным физическим процессом и может быть проще определен через физические параметры, чем через электрические параметры транзистора. Необходимо заметить, что обе модели допускают повышение точности за счет усложнения, причем параметры сложных моделей могут быть определены только через физические параметры транзистора. Модель Линвилла, состоящая в общем случае из ряда последовательно включенных я-секций, одна из которых изображена на рис. б, получена на основе решения уравнения непрерывности в конечных разностях. [29]
В литературных источниках анализ переходных процессов транзистора обычно приводится для идеального случая, когда переключающим импульсом является скачок тока. В реальных условиях работы транзистора в импульсных схемах переключение осуществляется импульсами разной формы, характеризуемой длительностью, фронтом, снижением плоской части, неравномер-ностями вершины. В работе [1] методом заряда анализируется влияние длительности импульса прямого тока базы на время рассасывания, в статье [2] получены выражения, связывающие фронт выключающего импульса и времени рассасывания при наличии ускоряющей емкости в цепи базы. Теоретические выводы подтверждены экспериментами, что дает основу для успешного применения метода заряда для анализа переходных процессов в реальных условиях. В статье [3] показано, что решения уравнения непрерывности и уравнения сохранения заряда отличаются только задержкой по времени. [30]
Страницы: 1 2