Решетка - кремний
Cтраница 2
 |
Атомы мышьяка ( а и бора ( б в решетке кремния. [16] |
Но для осуществления парно-электронных связей в решетке кремния, как мы видели, необходимы всего четыре электрона. Поэтому пятый электрон атома мышьяка оказывается связанным особенно слабо и может быть легко отщеплен при тепловых колебаниях решетки. При этом возникает один электрон проводимости, а атом мышьяка превращается в положительно заряженный ион. Образование же дырки не происходит. [17]
 |
Спектр отражения инфракрасных лучей кремнием. [18] |
Эти полосы определяются механизмом взаимодействия фотонов с колебаниями решетки кремния. В частности, при длине волны 9 1 мкм наблюдается максимум поглощения, связанный с колебаниями растяжения - сжатия связи Si-О. Значение этого максимума используется для оценки концентрации кислорода в кремнии. При очень низких температурах в кремнии обнаружено примесное поглощение в далекой инфракрасной области электромагнитного спектра. [19]
По зонной теории, введение трехвалентной примеси в решетку кремния приводит к возникновению в запрещенной зоне примесного энергетического уровня А, не занятого электронами. Носителями тока являются лишь дырки, возникающие в валентной зоне. [20]
По зонной теории, введение трехвалентной примеси в решетку кремния приводит к возникновению в запрещенной зоне примесного энергетического уровня А, не занятого электронами. [21]
По: юнной теории, введение трехвалентной примеси в решетку кремния мри-водит к возникновению в запрещенной зоне примесного энергетического уровня Л, не занятого электронами. [22]
Установлено, что эта грань совпадает с кристаллографической гранью ( 111) решетки кремния. [24]
 |
Изменение параметра кристаллической решетки изоморфных структур типа сфалерита в системе кремний - углерод. [25] |
А) указывает на то, что 1 3 % атомов в решетке кремния замещается атомами углерода ( 0 56 вес. [26]
 |
Участок кремниевой ИС с МДП-транзистором на сапфировой подложке. [27] |
При соответствующей ориентации монокристалла сапфира расположение атомов на его поверхности совпадает с расположением-атомов в кристаллическом решетке кремния. [28]
Кремний может обладать как электронным, так и дырочным механизмом электропроводности, причем примеси III группы периодической системы, введенные в решетку кремния, сообщают ему дырочную проводимость, а примеси V группы - электронную. В последние годы физики научились выращивать из расплава монокристаллы кремния, что было сопряжено с преодолением ряда серьезных трудностей. [29]
Представим себе теперь атом элемента третьей группы ( бор, алюминий, индий или галлий) помещенным в один из пустых узлов решетки кремния или германия. У атомов 3 - й группы имеются три валентных электрона в s - и / 7-состояниях и для того, чтобы они образовали четырехвалентную связь в решетке Si или Ge, им необходимо заимствовать один электрон из резервуара валентных электронов основных атомов кристалла. Таким образом, в результате теплового или светового возбуждения электрон из валентной зоны кристалла может присоединиться к нейтральному примесному атому, образуя отрицательный ион. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5