Решетка - кремний
Cтраница 3
Олово - последний элемент IV группы, который в одной из своих модификаций - серое олово - кристаллизуется в решетке алмаза, аналогичной решеткам кремния и германия. Неустойчивое при комнатной температуре серое олово может образовываться из белого олова при температурах ниже 13 Ц, когда оно обладает более низким термодинамическим потенциалом, чем белое олово. Такой переход легко вызывается в присутствии зародышевого кристаллика серого олова. [31]
Олово - последний элемент IV группы, который в одной из своих модификаций - серое олово - кристаллизуется в решетке алмаза, аналогичной решеткам кремния и германия. Неустойчивое при комнатной температуре серое олово может образовываться из белого олова при температурах ниже 13 С, когда оно обладает более низким термодинамическим потенциалом, чем белое олово. Такой переход легко вызывается в присутствии зародышевого кристаллика серого олова. [32]
 |
Механизм дырочной примесной проводимости полупроводника ( а и энергетическая диаграмма этой проводимости ( б. [33] |
Переход электрона из ковалентной связи к атому индия требует значительно меньше энергии, чем через запрещенную зону AWa, поэтому введение атома индия в решетку кремния приводит к появлению уровня акцептора Wa вблизи от по. При небольшом повышении температуры один из валентных электронов покидает валентную зону и занимает уровень примеси ( рис. 7, б), оставляя после себя в валентной зоне свободный уровень - дырку. Энергия ДЦ7а Wa - WB, которую необходимо сообщить валентному электрону для перевода его на примесный уровень, называют также энергией активизации примеси. [34]
Переход электрона из овалентной связи к атому индия требует значительно меньше энергии, чем через запрещенную зону AW, поэтому введение атома индия в решетку кремния приводит к появлению уровня акцептора Wa вблизи от потолка валентной зоны, который при очень низких температурах остается свободным. При небольшом повышении температуры один из валентных электронов покидает валентную зону и занимает уровень примеси ( рис. 21, б), оставляя после себя в валентной зоне свободный уровень - дырку. Энергия AWaWa-Ws, которую необходимо сообщить валентному электрону для перевода его на примесный уровень, называют также энергией активизации примеси. Электроны валентной зоны переходят на уровень примеси даже при низких температурах, образуя в валентной зоне большое количество дырок. [35]
 |
Энергетические зоны кремния в направлениях и k - npo - странства, рассчитанные k р-мето. [36] |
Использованные ими 15 состояний соответствуют состояниям свободных электронов с волновыми векторами в направлениях 000, 111 и 200 в единицах 2ir /, где а 5 43 А - постоянная решетки кремния. [37]
 |
График распределения концентрации доноров при бомбардировке кремния ионами натрия. [38] |
Такое распределение концентрации доноров может появиться только в том случае, если поверхностный слой n - типа вследствие радиационных нарушений имеет сравнительно малый коэффициент диффузии и распределение концентрации в области нарушений определяется процессами проникновения ионов в решетку кремния. Более глубокие области, имеющие малый градиент концентрации доноров, должны обладать сравнительно большим коэффициентом диффузии. [39]
 |
Распределение плот - [ IMAGE ] Распределение плотности ности уровней у графита. За - уровней у нитрида бора. Запрет-полненная зона отделяется от следующей очень маленькой запретной зоной. [40] |
С тех пор как кремний стали применять в высокочастотной технике, он был изучен весьма подробно. Постоянная решетки кремния равна 5.42 А, а расстояние между двумя ближайшими атомами его 2.35 А. Таким образом, в согласии с приведенными далее опытными данными, можно с уверенностью утверждать, что кремний является типичным полупроводником с запретной зоной шириной 1.12 эл. [41]
С тех пор как кремний стали применять в высокочастотной технике он был изучен весьма подробно. Постоянная решетки кремния равна 5.42 А, а расстояние между двумя ближайшими атомами его - 2.35 А. [42]
Наличие твердых растворов в исследованных сплавах было установлено рентгенометрическими измерениями. Период решетки кремния также уменьшен. Как было установлено ранее [4], величина периода решетки кремния в сплавах системы кремний-бор-углерод определяется в основном растворением бора в кремнии. [43]
Наличие твердых раствбров в исследованных сплавах было установлено рентгенометрическими измерениями. Период решетки кремния также уменьшен. Как было установлено ранее [4], величина периода решетки кремния в сплавах системы кремний-бор-углерод определяется в основном растворением бора в кремнии. [44]
Выпускаемые промышленные образцы полупроводниковых материалов типа германия и кремния более удобны для этой цели, но германий слишком дорог. Параметр решетки кремния, определенный различными авторами, несколько колеблется, среднее значение наиболее прецизионных определений а 5 43054 А. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5