Cтраница 4
В интервале температур от комнатной до 400 методом обратной рентгеновской съемки исследована зависимость параметров решетки соединений CuInTea, CuaSnSea и сплавов квазибинарных систем Cii2Te - InjTea, CujSe - SnSe2 и Sn-CujSej от температуры. Коэффициент линейного расширения исследованных тройных соединений растет с повышением температуры. [46]
Полученные результаты показывают, что соединения Еи2 как материалы могут работать при повышенных температурах, сохраняя решетку соединения с двухвалентным европием в качестве активатора. [47]
Примесные элементы III - б и V - б групп обычно замещают соответственно атомы А и В в решетке соединения, образуя нейтральные центры. Растворимость этих элементов в большинстве случаев столь велика, что удается выращивать кристаллы смешанного типа. [48]
![]() |
Иттербий - сурьма. [49] |
По данным [1] постоянные гексагональной решетки соединения YbsSb3 a 8 91, с 6 87 А; постоянная ОЦК решетки соединения Yb4Sb3 a 9 30 А; соединение YbSb2 имеет объемно-центрированную орторомбиче-скую структуру ( пр. [50]
![]() |
Кристаллическая структура соединений.| Валентные состояния атомов А111 Ву. [51] |
Казалось бы, связь в таком соединении должна быть ионной, но на основе рентгеноспектральных исследований установлено, что в решетке соединений Лш fiv наблюдается ковалентная связь. [52]
Последующие порции углерода, поступающие к этой грани металла, отрывают углеродную плоскость, образованную новыми порциями углеродных атомов при застройке решетки карбидного соединения, так как она мешает диффузии углеродных атомов через частицы катализатора. Последовательность таких стадий приводит к образованию углеродной нити, в составе которой вследствие карбидирования присутствует катализатор. [53]
В этом случае четыре молекулы воды связаны с атомами металла иондипольным взаимодействием, а две гидроксильные группы входят составной частью в решетку соединения. [54]
Даже в том случае, когда ионы носителя и индикатора не являются доста-1 точно сходными для того, чтобы индикаторный ион мог внедриться в решетку соединения носителя, индикатор все же может быть эффективно удален из раствора осадком носителя путем адсорбционного процесса. Теория адсорбции ионов на осадках электролитов рассматривается на стр. [55]
У соединений Ba3Me2UO9 и Sr3Sc2UO9 процессы упорядочения и разупорядочения легко обратимы и наиболее быстро протекают, по-видимому, в интервале температур 1700 - 1800 С: соединения, закаленные от 1500 С, всегда имеют структуру с упорядочением, а после закалки от 2000 С - без упорядочения. Параметры решетки соединений, закаленных от 1200 С ( просчитанные без учета сверхструктурных линий и приведенные в табл. 10.1), несколько отличаются от параметров решетки соединений, закаленных от 2000 С. Это отличие, а также понижение симметрии при упорядочении, сказывающееся в размытии линий, отвечающих основной перовскитной ячейке, могут быть следствием как упорядочения, так и некоторого изменения содержания кислорода. Точное разрешение этих вопросов требует дополнительного исследования. [56]
Проанализированы и обобщены результаты исследований физических свойств структурно-неустойчивых сверхпроводящих соединений. Изложены особенности нестабильных решеток высокотемпературных сверхпроводящих соединений, их низкотемпературного превращения и связанного с ним изменения критических параметров сверхпроводимости, атомного упорядочения. Рассмотрены вопросы легирования, отклонения от стехиометрического состава и воздействия радиации на неустойчивость решетки и на сверхпроводящие свойства различных соединений. [57]
Тесное взаимодействие колебаний в кристаллических решетках исключает такое простое предположение. Каждый атом входит в решетку соединения с иной частотой о /, чем та частота ю, которую он имеет в свободном виде. [58]
Кроме соединений, обнаруженных в работах [1, 2], установлено 3 ] соединение ЕгСо. По данным работы [ 2, решетка соединения Ег3Со весьма сложная, так как на рентгенограммах наблюдалось много линий слабой интенсивности. [59]
Период кубической типа ( 5 - W решетки соединения CrsSi меняется с изменением содержания Si от 4 576 [ 18 % ( ат. В той же работе [2] подтверждено, что период кубической решетки соединения CrSi 4 629 А. [60]