Решетка - тип - сфалерит
Cтраница 1
Решетка типа сфалерита представляет собой систему двух кубических гранецентрированных подрешеток цинка и серы, вдвинутых друг в друга на / 4 диагонали куба. [1]
Они образуют решетку типа сфалерита, в которой полностью заняты позиции неметалла, в позициях же металла остаются вакансии. Формула Ga2Se3 непригодна для характеристики соединения в кристаллохимическом отношении. [2]
 |
Гексагональная плотная упаковка ( г.п.у.. [3] |
К этому типу весьма близка решетка типа сфалерита или цинковой обманки ZnS, изображенная на рис. 45-в. Решетка типа сфалерита представляет собой систему двух кубических гранецентрированных подрешеток цинка и серы, вдвинутых друг в друга на V4 диагонали куба. [4]
При учете спина картина зонной структуры решетки типа сфалерита меняется. Точка симметрии Га ( потолок валентной зоны в случае структуры алмаза) перестает быть точкой экстремума. [5]
Развитая нами с Э. Н. Королем динамическая теория решетки типа сфалерита позволяет ввести другое определение заряда иона. [6]
Из селенидое и теллуридов Ga2Se3, Ga2Te3 и In2Te3 имеют структуру решетки, выводящуюся из решетки типа сфалерита. [7]
Из селенидов и теллуридов Ga2Se3, Ga2Te3 и 1п2Те3 имеют структуру решетки, выводящуюся из решетки типа сфалерита. [8]
Гексагональный BN при 1200 - 2000 С, давлении 4 5 - 7 5 МПа и наличии катализаторов переходит однофазно в [ 3 - BN с решеткой типа сфалерита. [9]
 |
Гексагональная плотная упаковка ( г.п.у.. [10] |
К этому типу весьма близка решетка типа сфалерита или цинковой обманки ZnS, изображенная на рис. 45-в. Решетка типа сфалерита представляет собой систему двух кубических гранецентрированных подрешеток цинка и серы, вдвинутых друг в друга на V4 диагонали куба. [11]
Среди них есть важные полупроводники, в частности соединения типа A1HBV и AUBVI, которые имеют решетки типа сфалерита или вюрцита. [12]
В настоящей книге рассмотрены материалы, имеющие наибольшее практическое значение и наиболее перспективные. Большинство изученных материалов представляет собой бинарные соединения, которые характеризуются тетраэдрической координацией атомов и кристаллизуются в решетках типа сфалерита или вюр-цита. [13]
Среди них есть важные полупроводники, в частности соединения типа A11 Bv и AUBVI, которые имеют решетки типа сфалерита или вюрцита. [14]
Эти соединения изоэлектронны простым веществам, образованным элементами IV группы ( например, Si, Ge) и обладают полупроводниковыми свойствами. В большинстве полупроводниковых соединений типа AIUBV атомы находятся в тетраэдрической координации друг относительно друга и кристаллизуются в решетке типа сфалерита или вюртцита. Так, GaN, InN и TIN кристаллизуются в решетке типа вюртцита, а МР, MAs, MSb, где MGa, In - в решетке типа сфалерита. Нитриды элементов подгруппы галлия отличаются высокой химической устойчивостью и близки по структуре к алмазу и алмазоподобному BN. Наибольшей химической устойчивостью отличается GaN. Он не взаимодействует с водой, разбавленными и концентрированными кислотами, устойчив при нагревании на воздухе до 1000 С. При комнатной температуре GaN является полупроводником, а при низких температурах обладает сверхпроводимостью. По своей химической устойчивости InN значительно уступает GaN, он легко реагирует с растворами кислот и щелочей, окисляется на воздухе выше 300 С. Теплоты образования GaNTB и InNTB при 25 С соответственно равны 26 4 и 4 2 ккал / моль. [15]
Страницы: 1 2