Cтраница 2
Сульфид Н § 5 существует в двух модификациях-а ( киноварь) и Р ( метациннабарит); т-ра перехода а. Те кристаллизуются в решетке типа сфалерита, при давлении 1 5 - 2 0 ГПа Н § 8е и Н § Те имеют кристаллич. [16]
В производстве полупроводниковых приборов кроме германия и кремния широко используются соединения А [ п Bv. Эти соединения получают в результате взаимодействия элементов третьей и пятой групп периодической системы. Они кристаллизуются в решетке типа сфалерита или цинковой обманки. [17]
Эти соединения изоэлектронны простым веществам, образованным элементами IV группы ( например, Si, Ge) и обладают полупроводниковыми свойствами. В большинстве полупроводниковых соединений типа AIUBV атомы находятся в тетраэдрической координации друг относительно друга и кристаллизуются в решетке типа сфалерита или вюртцита. Так, GaN, InN и TIN кристаллизуются в решетке типа вюртцита, а МР, MAs, MSb, где MGa, In - в решетке типа сфалерита. Нитриды элементов подгруппы галлия отличаются высокой химической устойчивостью и близки по структуре к алмазу и алмазоподобному BN. Наибольшей химической устойчивостью отличается GaN. Он не взаимодействует с водой, разбавленными и концентрированными кислотами, устойчив при нагревании на воздухе до 1000 С. При комнатной температуре GaN является полупроводником, а при низких температурах обладает сверхпроводимостью. По своей химической устойчивости InN значительно уступает GaN, он легко реагирует с растворами кислот и щелочей, окисляется на воздухе выше 300 С. Теплоты образования GaNTB и InNTB при 25 С соответственно равны 26 4 и 4 2 ккал / моль. [18]