Соответствующая решетка
Cтраница 4
 |
Экспериментальная схема для исследования генератора на основе двустороннего обращающего зеркала. [46] |
Ранее в работах [17,49] утверждалось, что в рассматриваемой схеме генерация обращенных волн не возникает в связи с тем, что существует бесконечное множество шумовых волн, одновременно удовлетворяющих условию синхронизма для четырехволнового процесса. Предполагалось, что все эти волны, лежащие на поверхности прямого кругового конуса с образующим углом, равным половине угла между падающими на кристалл пучками, усиливаются одновременно, причем коэффициент усиления каждой из них определяется лишь эффективностью переноса электронов в направлении волнового вектора соответствующей решетки. [47]
Влияние примесей на длину свободного пробега фононов и свободных носителей заряда проявляется через поперечное сечение рассеяния дефектов. Кристаллические решетки, часть узлов которых не занята, характеризуются исключительно короткими длинами свободных пробегов. Вычисленные обычным путем последние оказываются меньше, чем постоянные соответствующих решеток. Аналогично подвижность увеличивается с ростом температуры. Использование вырожденных систем свободных зарядов позволяет разделить, с одной стороны, влияние скорости электронов, а с другой стороны, влияние теплового движения решетки на механизм рассеяния. [48]
Каждая элементарная ячейка занимает свое определенное место в соответствующей решетке, подобно кирпичам в стене. [49]
Расчетная модель сети ( рис. 18) идеализирована - нагрузки РП и ТП, длины питающих и распределительных линий, число ТП на полупетлю и секцию ( расчетный элемент) РП условно считаются одинаковыми. В последнем случае существующая сеть 6 кВ заменяется соответствующей решеткой, в узлах которой условно располагаются ТП. В узле могут размещаться до двух однотрансфор-маторных ТП или одна двухтрансформаторная, что оправдывает присоединение четырех линий к ТП. [50]
В заключение кратко отметим применение в статистической механике. Для некоторых проблем статистической механики [42-44] необходима производящая функция для частичного димерного покрытия на решетках. Абсолютное значение коэффициента при члене X в характеристическом полиноме соответствующей решетки определяет число способов, которыми k / 2 димеров могут покрыть решетку. [51]
Ортогональное дополнение Т решетки 5 в Hi ( X, ) является четной бинарной положительно определенной формой. Из теоремы Торелли легко вывести, что поверхность однозначно определяется соответствующей решеткой Т, каждой четной решетке соответствует некоторая поверхность. [52]
 |
Зависимость сечения а резонансного рассеяния от энергии падающей частицы. в случае 10.| Ход сечения т реакции С ( р, n lrlN. два максимума отвечают двум уровням энергии составного ядра leN. [53] |
Две решетки относятся к одному и тому же типу Браве, если их параллелепипеды Браве одинаковы и имеют одинаковую центрировку. Около каждого параллелепипеда Браве указан символ соответствующей группы Браве - полной совокупности преобразований симметрии соответствующей решетки. Браве, если их полные группы преобразований симметрии изоморфны. [54]
Если квазимногообразие Q имеет независимый базис, то Q имеет бесконечно много покрытий в решетке всех квазимногообразий. Значит, существуют квазимногообразия, не обладающие независимым базисом. В каждой из решеток подквази-многообразий О, Э12, Я2 множество квазимногообразий, не имеющих покрытий в соответствующей решетке и содержащих свободные группы многообразия континуально ( Будкин А. И. / / Сиб. [55]
О имеет бесконечно много покрытий в решетке всех квазимногообразий. Значит, существуют квазимногообразия, не обладающие независимым базисом. В каждой из решеток подквази-многообразий О, Э12, 912 множество квазимногообразий, не имеющих покрытий в соответствующей решетке и содержащих свободные группы многообразия континуально ( Будкин А. И. / / Сиб. [56]
Подсчитывая число, атомов, приходящихся на одну ячейку, мы разбивали их на группы, расчеты для которых вели раздельно. Не следует думать, что эти атомы в каком-то смысле отличаются друг от друга. Тождественность всех атомов IB ( структурах Си я a - Fe легко доказывается тем, что они располагаются по узлам соответствующих решеток и могут быть совмещены друг с другом в результате простых трансляций. В структуре магния они также тождественны, хотя и располагаются не только по вершинам примитивных параллелепипедов повторяемости. Все эти атомы связаны друг с другом другими элементами симметрии - осями симметрии, центрами симметрии или плоскостями скользящего отражения, - с помощью которых они могут быть совмещены друг с другом. Все они располагаются по точкам одной правильной системы и потому должны считаться кристаллохимически. Этот результат для начинающего изучать кристаллохимию может показаться само собой разумеющимся и потому излишним. Однако такой поспешный вывод делать не следует, так как в последующих главах книги будут приведены примеры структур простых веществ, в которых атомы действительно кристаллохимически различны. Они, как говорят в кристаллохимии, нескольких сортов. Так, например, в структурах графита, j3 - Mn и многих других веществ имеются атомы двух сортов. Любой атом одного сорта не может быть совмещен с атомом другого сорта никакими симметрическими преобразованиями. Они кристаллохимически различны, и, по - видимому, различно их электронное строение. [57]
На рис. 2 схематически изображена металлич. Объем А заполнен пропаном. Когда внешнее давление не подано ( открыт клапан 8), мембрана 5 находится в среднем положении, а мембраны 7 и 13 прижаты к соответствующим решеткам. Уровень сброса давления Ри задается давлением газа в объеме В. Через впускной электромагнитный клапан 11 к мембране 7 подается к. Через воду это давление подается к мембранам 5 и 13; мембрана 13 отходит к решетке, а мембрана 5 поджимает рабочую жидкость. Паровая фаза полностью конденсируется, после чего камера готова к расширению. [59]
Важнейшими частными случаями являются свободное и вполне свободное расширения. Первое из них возникает, когда Я состоит из всех суммируемых, а 8 - из всех перемножаемых пар множества Р, второе - когда как Я, так и S3 - пустые множества. Свободное и вполне свободное расширения тривиального частично упорядоченного множества совпадают. Соответствующая решетка называется свободной. Свободное расширение кардинальной суммы решеток называется их свободным произведением ( ср. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5