Кристаллическая решетка - кристалл
Cтраница 1
 |
Распределение доме - ние границ, вращение векторов поляков в кристалле. а - при от - ризации, насыщение. На 2 - 2, б.| Кристалл кварца. [1] |
Кристаллическая решетка кристалла при этом деформируется в направлении поля. Изменение направления поля вызывает остаточную поляризацию р0 сегнетоэлектрика, а изменение величины приложенного поля приводит к изменению величины деформации. [2]
Кристаллическая решетка кристалла при этом деформируется в направлении поля. Кривая зависимости поляризации от приложенного поля имеет вид петли диэлектрического гистерезиса. Изменение направления поля вызывает остаточную поляризацию, а изменение величины приложенного поля приводит к изменению деформации сегнетоэлектрика. В случае приложения к сегнетоэлектрику помимо переменного еще и постоянного поля поляризации он становится пьезоэлектрическим веществом, изменение размеров которого зависит от знака приложенного поля. [3]
Кристаллическую решетку антиферромагнитного кристалла можно представить себе как две вложенные одна в другую тождественные решетки ( подрешетки), каждая из которых содержит ионы с параллельно расположенными спинами. Такое упорядоченное расположение спинов имеет место при температуре ниже так называемой антиферромагнитной точки Кюри. [4]
 |
Ступени скольжения гексагональ - гпягЬмтя ЛТГГЖРТ VRPHHUH вых кристаллитов графита ( ХЗО 000. графита может увеличи. [5] |
Отсюда был сделан вывод, что в кристаллической решетке полностью сформировавшихся кристаллов графита должны быть участки с неупорядоченным расположением атомов. [6]
Таким образом, в результате диссоциации карбоната кальция, когда разрушается кристаллическая решетка кристаллов кальцита, получается новое вещество с сильно разрыхленной структурой. Это вещество образовано микрокристаллами окиси кальция. Оно отличается сильно развитой внутренней микропористостью, и поэтому обладает большим избытком энергии. [7]
Прежде всего, поверхность полупроводникового кристалла представляет собой то место, где нарушается правильность периодичности кристаллической решетки кристалла. Решетка в этом месте обрывается и атомы вещества, располагающиеся у поверхности, должны иметь незаполненные связи. [8]
Как указывалось, эти кристаллы имеют орторомбическую сингонию и параметры решетки очень близкие к параметрам кристаллической решетки кристаллов диантрацена. Такая структура допускает обратимое протекание реакции димеризации внутри кристалла, и, таким образом, кристаллы фотомодификации должны рассматриваться как бинарная фаза. [9]
Дальний порядок упрощает анализ свойств кристаллов, так как информация о взаимном расположении всего лишь нескольких атомов, составляющих элементарную ячейку, позволяет последовательным переносом такой ячейки построить модель кристаллической решетки кристалла любых размеров. Дальний порядок в расположении атомов кристаллов является основой современной физики кристаллических полупроводников, на которой базируется полупроводниковая электроника. [10]
 |
Значения поверхностной и зернограничной энергии различных металлов. [11] |
Здесь, однако, понятие ширины границы является условным ( правильнее говорить о приграничных объемах), имеется в виду переходный слой, представляющий собой двумерный нониус, в котором переход от одной ориентировки к другой происходит постепенно, так что переходные зоны плавно сливаются с кристаллической решеткой смежных кристаллов. [12]
Большой межрешеточный объем цеолитов обеспечивает их большую сорбционную емкость. Жесткая пространственная ( трехмерная) кристаллическая решетка кристаллов цеолитов позволяет им переносить продолжительный нагрев под разрежением при температуре 300 - 450 С без заметных структурных изменений. [13]
Наличие поляризации также и здесь не является безусловным доказательством разряжения и последующей химической реакции аниона. Не исключена возможность того, что переход иона серебра из металла в кристаллическую решетку кристалла при понижении температурь встречает все большие трудности, что сказывалось бы на поляризации. [14]
Изложенное выше хорошо подтверждается исследованиями сростков кристаллов гидросиликатов кальция методом электронной микродифракции. Лауэграммы ( см. рис. 2.5) и микродифракто-граммь: контактной зоны говорят о простом наложении кристаллических решеток сопрягающихся кристаллов, что обусловлено, как и для Са ( ОН) 2, возникновением этих сростков в процессе зароды-шеобразования, а не при срастании взрослых кристаллов. [15]
Страницы: 1 2