Реальная кристаллическая решетка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Ничто не хорошо настолько, чтобы где-то не нашелся кто-то, кто это ненавидит. Законы Мерфи (еще...)

Реальная кристаллическая решетка

Cтраница 1


1 Дислокация в кристаллической решетке. 3 - 3 линейная ( краевая дислокация. [1]

Реальная кристаллическая решетка отличается от идеальной схемы, приведенной на рис. 20, наличием кристаллических несовершенств.  [2]

В реальной кристаллической решетке атомы при определенных условиях могут обладать большой свободой передвижения и перемещаться из одних узлов решетки в другие. Перенос вещества, обусловленный хаотическим тепловым движением атомов, в направлении уменьшения их концентрации называется диффузией. Диффузия в кристалле, находящемся в состоянии химического равновесия ( однородный химический состав, однородное распределение дефектов), называется самодиффузией. Диффузия атомов в кристалле при наличии градиента химического потенциала ( градиента концентрации вещества) носит название гетеродиффузии, химической диффузии или просто диффузии.  [3]

В реальной кристаллической решетке всегда имеются неоднородности, которыми могут быть, например, примеси, вакансии; неоднородности обусловливаются также тепловыми колебаниями. В реальной кристаллической решетке происходит рассеяние электронных волн на неоднород-ностях, что и является причиной электрического сопротивления металлов.  [4]

В реальной кристаллической решетке некоторые узлы могут быть не заняты частицами, составляющими кристаллы; сами эти частицы могут быть смещены из положения равновесия, неправильно ориентированы.  [5]

В реальной кристаллической решетке всегда имеются неоднородности, которыми могут быть, например, примеси, вакансии; неоднородности обусловливаются также тепловыми колебаниями. В реальной кристаллической решетке происходит рассеяние электронных волн на неоднород-ностях, что и является причиной электрического сопротивления металлов.  [6]

В реальной кристаллической решетке всегда имеются неоднородности, которыми могут быть, например, примеси, вакансии; неоднородности обусловливаются также тепловыми колебаниями. В реальной кристаллической решетке происходит рассеяние электронных волн на неоднородностях, что и является причиной электрического сопротивления металлов.  [7]

В реальной кристаллической решетке некоторые узлы могут быть не заняты частицами, составляющими кристаллы; сами эти частицы могут быть смещены из положения равновесия, неправильно ориентированы. Части решетки могут быть сдвинуты относительно друг друга. Такие нарушения, закономерные при высоких температурах, в какой то мере неизбежно сохраняются при охлаждении и замораживаются до абсолютного нуля. Поэтому идеально построенные кристаллы являются предельным состоянием, абстракцией.  [8]

В реальной кристаллической решетке действуют, конечно, не только силы отталкивания между частицами, но и силы сцепления. Равновесие между силами сцепления и силами отталкивания определяет собственный объем, который имеет каждое конденсированное тело ( твердое или жидкое) при отсутствии внешнего давления. Обычное атмосферное давление дает силу, ничтожно малую по сравнению с этими огромными силами, сдерживающими тела в их объемах. Для того чтобы изменить объем тела только на один процент, нужны давления порядка десятков тысяч атмосфер.  [9]

В реальных кристаллических решетках спиновые взаимодействия не полностью вращательно-симметричны, что обусловлено тем, что такой симметрией не обладает сама решетка.  [10]

Сложное строение реальных кристаллических решеток заставляет ограничиваться простейшими решетками, допускающими достаточно наглядное изображение расположения атомов на рисунках.  [11]

Другим важным отличием реальной кристаллической решетки от упрощенной идеализированной модели является существование линейных дефектов или дислокаций. В обоих случаях дислокации нарушают регулярное расположение атомов кристаллической решетки.  [12]

Отличие идеальной решетки от реальной кристаллической решетки и решетки стеклообразного тела состоит, кроме всего прочего, в том, что продолжительность жизни фононов в них еще больше сокращается при увеличении концентрации дефектов.  [13]

Для перехода от пары ионов к реальной кристаллической решетки необходимо умножить значение w на NA ( пересчет ка один моль ионных пар), а также учесть, что каждый ион взаимодействует не только с одним иоком противоположного знака, но и со всеми окружающими конами обоих злаков.  [14]

Применение новейших методов исследования показывает, что реальная кристаллическая решетка металла отличается от идеальной схемы, приведенной выше, наличием кристаллических несовершенств. Кристаллическими несовершенств а-м и ( дефектами) называют отступления от правильного геометрического строения. К точечным дефектам строения относятся: вакансии ( узлы решетки, не занятые атомами) и атомы инородных элементов ( всегда имеющихся в металлах), расположенные в междуузлиях решетки. Основными линейными дефектами являются дислокации.  [15]



Страницы:      1    2    3