Идеальная кристаллическая решетка

Cтраница 2

Схематическое изображение кристаллической решетки идеального полупроводника. [16]

Полупроводники с идеальной кристаллической решеткой ( не имеющие примесей) называются собственными. При температуре абсолютного нуля ( - 273 С) все валентные электроны в собственном полупроводнике связаны, и если поместить такой кристалл в электрическое поле, то электрический ток не возникает, поскольку нет свободных электронов, поэтому в этих условиях полупроводник обладает свойствами идеального изолятора. [17]

Что понимается под идеальной кристаллической решеткой. Как идеальная решетка воздействует на движение электрона по кристаллу. [18]

В металлах с идеальной кристаллической решеткой нет причин для локального протекания пластической деформации. В реальных же кристаллах локальное протекание пластической деформации может быть связано с наличием дислокаций. Движение дислокаций вызывает пластическую деформацию. Но критическое напряжение, при котором дислокация может двигаться, зависит от типа дислокации, от ее конфигурации ( в особенности от длины и ширины дислокации) и от окружающего каждую дислокацию облака из растворенных атомов. Поэтому при действии постоянного напряжения ( при ползучести) в начальный момент времени в движение приходят не все имеющиеся в металле дислокации, а лишь те, для движения которых критическое напряжение относительно мало. [19]

Опыт показал, что идеальные кристаллические решетки, в которых каждый узел занят соответствующим ионом ( или частицей иной природы - атомом, молекулой), практически не встречаются. [20]

Если бы кристалл представлял собой идеальную кристаллическую решетку и температура была близка к абсолютному нулю, то мы не видели бы ограничения длине свободного пробега и вещество не обладало бы электрическим сопротивлением. Пробег электрона ограничен тепловыми колебаниями атомов и наличием у кристалла различного рода дефектов. Оба эти фактора нарушают идеальную периодичность поля, в котором движется электрон, и становятся причинами рассеяния электронов. Отсюда следует, что проводимость тела должна улучшаться по мере снижения температуры и стремиться к нетГорому пределу, зависящему от степени совершенства кристаллической решетки. [21]

Если бы кристалл представлял собой идеальную кристаллическую решетку и температура была близка к абсолютному нулю, то мы не видели бы ограничения длине свободного пробега и вещество не обладало бы электрическим сопротивлением. Пробег электрона ограничен тепловыми колебаниями атомов и наличием у кристалла различного рода дефектов. Оба эти фактора нарушают идеальную периодичность поля, в котором движется электрон, и становятся причинами рассеяния электронов. Отсюда следует, что проводимость тела должна улучшаться по мере снижения температуры и стремиться к некоторому пределу, зависящему от степени совершенства кристаллической решетки. [22]

Описанная схема относится к идеальной кристаллической решетке. Каждая из зон здесь соответствует отдельному уровню атома или иона. Хотя длительности пребывания электронов в полосе проводимости, куда они переносятся при возбуждении из заполненных зон, для подобных кристаллов исследованы совершенно недостаточно, но все же известно, что они крайне малы. О порядке длительности можно судить по аналогии со свечением соответствующих ионов, у которых возбужденное состояние длится - 10-в сек. Эти вкрапления нарушают периодичность решетки и создают местные локальные энергетические уровни, не распро-хтраняющиеся на весь кристалл. [23]

Схемы возникновения дефектов в кристаллах. [24]

Самые простые дефекты в идеальной кристаллической решетке возникают в результате замещения собственного атома чужеродным, внедрения атома в междоузлие, отсутствия атома в одном из узлов кристаллической решетки. [25]

Нельзя рассматривать твердое тело как идеальную кристаллическую решетку, в которой структурные единицы образуют регулярные ряды. [26]

Зависимость усредненных атомных смешений в Си, подвергнутой ИПД кручением, от числа оборотов.| Зависимость интегральной интенсивности фона на рентгенограммах Си, подвергнутой ИПД кручением, от числа оборотов. [27]

Дебая-Уоллера и атомных смещений из узлов равновесной идеальной кристаллической решетки. [28]

Усредненные сдвиги атомов из положений в идеальной кристаллической решетке были направлены либо вовнутрь, либо наружу от центра зерна. [29]

Поверхностью Ферми называют изознергетическую поверхность в идеальной кристаллической решетке. [30]

Страницы: 1 2 3 4