Идеальная кристаллическая решетка

Cтраница 4

Дефекты кристаллической решетки ( 0-мерные) - нарушения идеальной кристаллической решетки за счет различий в заполнении отдельных узлов решетки. Основными 0-мерными дефектами являются: вакансии ( дефекты по Шоттки), когда узел решетки остается не занятым частицей, и дефекты по Френкелю - совокупность вакансии и частицы, занимающей нехарактерное междоузлие в решетке. [46]

Дефекты кристаллической решетки ( 0-мериые) - нарушения идеальной кристаллической решетки за счет различий в заполнении отдельных узлов решетки. Основными 0-мерными дефектами являются: вакансии ( дефекты по Шотгки), когда узел решетки остается не занятым частицей, и дефекты по Френкелю - совокупность вакансии и частицы, занимающей нехарактерное междоузлие в решетке. [47]

В современной теории электропроводности показано, что в идеальной кристаллической решетке электрический или тепловой поток, однажды возникнув, поддерживался бы бесконечно долго, т.е. делокализованные электроны создавали бы бесконечную проводимость, а время релаксации ( среднее время свободного пробега электронов) оказалось бы бесконечным. Тот факт, что удельная электрическая проводимость конечна, обусловлен нерегулярностями решетки. Эти нерегулярности делятся на две основные категории. Одни связаны с тепловыми колебаниями, другие являются статистическими. Тепловые колебания решетки нарушают идеальную периодичность кристаллов. Искажения решетки рассеивают электроны, ограничивая длину свободного пробега конечным значением. [48]

В работе кратко рассматривается движение носителей заряда в идеальной кристаллической решетке, изложен расчет подвижности носителей заряда с использованием кинетического уравнения Больцмана, а также приведены результаты расчета времени релаксации и подвижности носителей заряда при различных механизмах рассеяния. [49]

Наибольшее внимание было уделено получению картины колебаний в идеальной кристаллической решетке. Вопросы колебаний в малых и дефектных кристаллах все еще остаются открытыми. Исторически универсальный закон теплоемкости Дюлонга и Пти, который хорошо описывал экспериментальные данные лишь для отдельных температур, был заменен между 1900 и 1920 гг., главным образом благодаря работам Эйнштейна, Дебая, Нернста и Лин-деманна, теорией с одной характеристической константой для данного вещества - 0-температурой. В работах Тарасова, выполненных в 1950 г., было показано, что в случае сильной анизотропии сил, как это имеет место в одномерных или двумерных кристаллах с сильными связями, введение второй константы позволяет исключить большую часть расхождений между приближенной теорией и экспериментом. Теплоемкость трех рассмотренных твердых тел представляется в определенном температурном интервале 0-температурами, значения которых приведены в табл. III. Расчет более точного частотного спектра для алмаза и графита показывает степень приближения континуумных теорий. [50]

Волькенштейн остановился на вопросе, является или не является идеальная кристаллическая решетка каталитически активной, и отметил, что с теоретической точки зрения идеальная поверхность полупроводника должна обладать некоторыми каталитическими свойствами, но в реальном случае, при наличии являющихся центрами локализации свободных валентностей структурных дефектов, поверхность будет значительно более активна ив адсорбционном, и в каталитическом отношении. Что касается эксперимента, то, по его мнению, он не может дать ответа на этот вопрос. [51]

Зонная диаграмма оми.| Степень заполнения ковалентных связей в глубине идеального кристалла кремния ( а, на бездефектной поверхности ( б с отсутствующим в узле. [52]

Поверхность, содержащая только состояния, связанные с обрывом идеальной кристаллической решетки, называется идеальной. [53]

Дефекты кристаллической решетки 0-мерные ( 296) - нарушения идеальной кристаллической решетки за счет разли и. Основными являются вакансии ( дефекты по Шоттки), когда узел решетки остается не занятым частицей, и дефекты по Френкелю - совокупность вакансии и частицы, занимающей нехарактерное междоузлие в решетке. [54]

Допустим, что произведен разрез вдоль произвольной поверхности в идеальной кристаллической решетке и что края разреза смещены относительно друг друга. Если смещение произошло не параллельно поверхности разреза, то оно приводит с одной стороны от поверхности разреза к сжатию, а с другой - к расширению вещества. Таким образом возникает дислокация. [55]

Эти значения, равные расстояниям между рядами атомов в идеальной кристаллической решетке железа, определены по уравнению Вульфа-Брегга из данных о дифракции рентгеновских лучей. [56]

В 1928 г. Блох показал, что в периодическом поле идеальной кристаллической решетки перемещающиеся электроны можно рассматривать как свободные, но не с любым значением энергии. Зоны разрешенных энергетических состояний, которые определяются энергетическими уровнями атомов, входящих в кристаллическую решетку, разделяются запрещенными зонами. Каждая зона разрешенных энергетических состояний пмеет N уровней. Согласно принципу Паули, на уровне размещаются 2N электронов. Ширина запрещенной зоны у сульфидных люминофоров составляет несколько электрон-вольт. Введение примесей ( активаторов), а также наличие примесей и дефектов в решетке создают условия для образования энергетических уровней, которые располагаются в запрещенной зоне. [57]

Отсюда следует, что необходимо отказаться от идеализированного представления об идеальной кристаллической решетке металла и допустить наличие характерных дефектов высшего порядка, называемых дислокациями. [58]

Страницы: 1 2 3 4