Обратная ветвь

Cтраница 1

Энергетическая диаграмма ( а и вольт-амперные характеристики ( б обращенных диодов. [1]

Обратная ветвь вольт-ампер ной характеристики обращенного диода аналогична обратной ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, так как при обратных напряжениях происходит тун-нелирование электронов из валентной зоны - области в зону проводимости n - области. [2]

Выходная характеристика тринистора и его условное. [3]

Обратная ветвь характеризуется максимально допустимым обратным напряжением ( 70бр, которое может выдержать прибор сколь угодно длительное время, и соответствующим этому напряжению обратным током / обр - В данной работе эти параметры не рассматриваются. [4]

Обратная ветвь ( участок а - О на рис. 6.2) вольт-амперной характеристики тиристора соответствует подключению внешнего напряжения орицательным полюсов к аноду и положительным - к катоду. Это вызывает смещение среднего перехода в лрямом направлении, а двух крайних переходов - в обратном. Второй переход открыт, и падение напряжения на нем мало. Поэтому можно предположить, что обратное напряжение / 70вр распределяется главным образом по первому и третьему переходам. Однако в процессе изготовления тиристора концентрация примеси в pi - и / 12-слоях обеспечивается достаточно высокой по сравнению с концентрацией в р - и rti - слоях, и третий переход получается узким. С приложением обратного напряжения третий переход вступает в режим электрического пробоя при напряжении, существенно меньшем рабочих Напряжений. [5]

Обратные ветви индуктированного в нагреваемой поверхности тока располагаются по обе стороны от прямой, причем плотность тока в обратных ветвях мала, так как ток расходится в обе стороны и распределяется по всей поверхности. Подводящие шины располагаются сверху. [6]

Обратная ветвь efd характеризует работу провода, после того как провод, хотя бы один раз, имел длительно приложенное расчетное тяжение. [7]

Энергетическая схема и распределение токов в транзисторе структуры п-р - п при нормальных смещениях. Стрелки указывают направление движения электронов. Сплошными линиями изображены электронные составляющие токов, штриховыми - дырочные. [8]

Обратная ветвь отличается резким нарастанием тока при минимальных обратных напряжениях. [9]

Обратная ветвь характеристики отвечает токам порядка 10 - 9 а до начала пробоя, после чего ток при почти постоянном напряжении резко повышается примерно на 6 порядков. [10]

Кусочно-линейная аппроксимация вольт-амперной характеристики полупроводникового диода. [11]

Обратная ветвь характеристики также аппроксимируется двумя прямыми. [12]

Обратная ветвь характеристики / обРф ( Лвр) соответствует непроводящему направлению тока через диод при обратной полярности приложенного к диоду напряжения. Обратный ток ( участок ОВ) незначительно зависит от приложенного обратного напряжения. При относительно большом обратном напряжении ( точка В на характеристике) наступает электрический пробой р - - перехода, при котором быстро увеличивается обратный ток, что может привести к тепловому пробою и повреждению диода. [13]

Спектральные характеристики полупроводниковых излучателей на основе арсенида галлия ( /, твердого раствора арсенида и фосфида галлия ( 2, фосфида галлия ( 3 и карбида кремния ( 4.| ВАХ полупроводниковых излучателей, изготовленных на основе различных полупроводниковых материалов. [14]

Обратные ветви ВАХ не представляют практического интереса, так как полупроводниковые излучатели с выпрямляющим электрическим переходом должны работать только при включении в прямом направлении. Следует, однако, иметь в виду, что пробивные напряжения полупроводниковых излучателей с выпрямляющим электрическим переходом не превышают нескольких вольт. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5