Обратная ветвь
Cтраница 2
Обратные ветви ВАХ не представляют практического интереса, так как полупроводниковые излучатели с выпрямляющим электрическим переходом должны работать только при включении в прямом направлении. Следует, однако, иметь в виду, что пробивные напряжения полупроводниковых излучателей с выпрямляющим электрическим переходом не превышают нескольких вольт. [17]
Обратные ветви характеристик ( см. рис. 4.1 и 1.15) различаются большей величиной обратного тока реального диода, так как кроме теплового тока / нас через обратно смещенный р-п-переход по поверхности перехода протекает также ток утечки, возрастающий по мере роста обратного напряжения. [18]
Обратные ветви ВАХ кремниевых, арсенидогаллиевых, фосфидогаллиевых р-п переходов не имеют участка насыщения. Для объяснения этого явления необходимо учесть наличие тепловой генерации носителей внутри области пространственного заряда р-п перехода. [19]
Обратные ветви ВАХ имеют малое допустимое обратное напряжение, так как ширина р-п перехода в излучающих диодах незначительна. [20]
Обратная ветвь ВАХ при лавинном пробое соответствует кривой б на рис. 2.30. В диодах со слаболегированной базой, когда / 7Л п ( 7Т п, наблюдается лавинный пробой, в диодах с высоколегированной базой, когда ( Ут / Ул. На практике в кремниевых диодах при напряжении пробоя Ua 20 В происходит только лавинный пробой, при 20 В Un - 5 В - смешанный пробой, при котором токопрохождение в переходе определяется лавинным и туннельным процессами одновременно, и при Uu С 5 В - только туннельный пробой. [21]
Обратная ветвь характеристики тиристора не отличается от обратной ветви диодной характеристики. [22]
Обратная ветвь характеристики IV определяет вентильную прочность тиристора. [23]
Обратная ветвь характеристики диода в диапазоне рабочих напряжений незначительно отличается от теоретической вследствие появления неконтролируемых токов как за счет утечек по поверхности вентильного элемента, так и за счет термогенерации носителей заряда в области перехода. Дальнейшее увеличение обратного напряжения вызывает резкое нарастание тока в результате ударной ионизации атомов или локального перегрева структуры. Поэтому напряжение U в точке перегиба принято считать напряжением пробоя. [24]
 |
Энергетическая диаграмма ( а и ВАХ ( б обращенных. [25] |
Обратная ветвь ВАХ обращенного диода аналогична обратной ветви ВАХ туннельного диода, так как при обратных напряжениях происходит туннелирование электронов из валентной зоны р-об-ласти в зону проводимости я-области. [26]
Обратная ветвь ВАХ обращенного диода аналогична обратной ветви ВАХ туннельного диода, так как при обратных напряжениях происходит туннелирование электронов из валентной зоны р-области в зону проводимости л-области. [27]
Нелинейные обратные ветви характеристик полупроводниковых триодов весьма точно аппроксимируются всего двумя отрезками ( прямых. Благодаря этому формулы, получающиеся в результате решения линеаризованных уравнений, позволяют с точностью в несколько ( процентов пред-вычислить длительность паузы в блокинг-генераторе или решить обратную задачу - по определению необходимых С и iR при заданной длительности паузы между импульсами. Детальное исследование процесса формирования переднего фронта импульса в блокинг-генераторе позволило теоретически оправдать применение при оценке длительности фронта известных аппроксимативных выражений переходных и частотных характеристик триодов. Сопоставление расчетов по формулам ( 3 - 29), полученным с использованием аппроксимативных выражений для переходных характеристик ( 1 - 159а), с расчетами по формулам ( 3 - 27), выведенным при помощи строгих выражений для этих характеристик ( 1 - 155), показывает, что и те и другие одинаково хорошо качественно описывают зависимости длительности фронта от параметров триода и элементов, входящих в схему. [28]
На обратной ветви обычно различают три характерных участка. Первый участок ( помечен буквой В) сравнительно невелик и соответствует еще довольно высокой проводимости. На втором участке ( Г) наступает явление насыщения, при котором рост обратного тока замедлен. Третий участок характеристики ( Д) определяется наступлением пробоя диода. [29]
На обратной ветви различают три участка: первый ОВ сравнительно невелик, вентиль обладает еще малой проводимостью и через p - n - переход проходит небольшой ток / Обр. ВГ при значительном увеличении обратного напряжения ток / OQP достигает насыщения и незначительно возрастает; третий участок ГД характеризуется резким возрастанием обратного тока при незначительном изменении С / 0бр / и наступает пробой р - / перехода. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5