Обратная ветвь - диод
Cтраница 1
Обратная ветвь ВАХ диода имеет три характерных участка. На участке / отличие от характеристики р-п перехода обусловлено наличием тока утечки по поверхности кристалла. Участок / / - это участок электрического пробоя р-п перехода: при мало изменяющемся напряжении наблюдается резкое увеличение тока. Для выпрямительных диодов характерен лавинный пробой, заключающийся в том, что под действием сильного электрического поля неосновные носители заряда, попавшие в переход, за время пробега между столкновениями с узлами кристаллической решетки приобретают энергию, достаточную для ударной ионизации атомов. В свою очередь эти носители, ускоряясь в поле, также могут произвести ионизацию. Процесс лавинного пробоя напоминает образование горной лавины. В результате ток через переход резко нарастает. [1]
Обратная ветвь ВАХ диода имеет три характерных участка. На участке / отличие от характеристики р-п перехода обусловлено наличием тока утечки по поверхности кристалла. Участок II - это участок электрического пробоя р-п перехода: при мало изменяющемся напряжении наблюдается резкое увеличение тока. Для выпрямительных диодов характерен лавинный пробой, заключающийся в том, что под действием сильного электрического поля неосновные носители заряда, попавшие в переход, за время пробега между столкновениями с узлами кристаллической решетки приобретают энергию, достаточную для ударной ионизации атомов. При этом образуется пара свободных носителей заряда. В свою очередь эти носители, ускоряясь в поле, также могут произвести ионизацию. Процесс лавинного пробоя напоминает образование горной лавины. В результате ток через переход резко нарастает. [2]
 |
Характеристика стабилитрона ( опорного диода. [3] |
Кроме того, обратные ветви диодов имеют неодинаковые температурные коэффициенты. Все это приводит к тому, что приложенное к цепочке последовательно соединенных диодов обратное напряжение распределяется неравномерно и в худших условиях оказывается диод с большим обратным сопротивлением. В такой цепи выход из строя одного диода может привести к пробою всех остальных. [4]
 |
Статические характеристики передачи тока транзистора, включенного по схеме с общей базой. [5] |
Общий характер этих зависимостей аналогичен обратной ветви ВАХ диода, так как коллекторный переход включен в обратном направлении. [6]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при постоянном токе базы ( б. [7] |
Общий характер этих зависимостей аналогичен характеру обратной ветви ВАХ диода, так как большая часть напряжения источника питания выходной цепи падает на p - n - переходе коллектора, включенном в обратном направлении. Причины этого явления поясняет рис. 4.18, б, на котором видно, что с увеличением напряжения на коллекторе при постоянном токе базы увеличивается ток эмиттера и соответственно растет ток коллектора. Напомним, что основная составляющая тока базы ( рекомбина-ционная) приблизительно пропорциональна общему числу дырок в базе и, следовательно, пропорциональна площади под кривыми распределения концентрации дырок в базе. [8]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при пг стоянном токе базы ( б.. / кэ. 1. / кэ. [9] |
Общий характер этих зависимостей аналогичен характеру обратной ветви ВАХ диода, так как большая часть напряжения источника питания выходной цепи падает на р-п-переходе коллектора, включенном в обратном направлении. Причины этого явления поясняет рис. 4.18, б, на котором видно, что с увеличением напряжения на коллекторе при постоянном токе базы увеличивается ток эмиттера и соответственно растет ток коллектора. Напомним, что основная составляющая тока базы ( рекомбина-ционная) приблизительно пропорциональна общему числу дырок в базе и, следовательно, пропорциональна площади под кривыми распределения концентрации дырок в базе. [10]
 |
Схема экспериментальной установки. [11] |
Высоковольтный источник напряжения ЕЧ позволяет снять всю обратную ветвь диода, включая и предпробойную область вольтамперной характеристики. При всех измерениях диод установлен в термостате и соединен со схемой гибким шлангом. [12]
Коэффициенты А и В вычисляются по измерениям в области пробоя, ток / обр и сопротивление утечки Ry - по обратной ветви ВАХ диода, коэффициент N - по прямой ветви ВАХ. Зависимость емкости Сд от напряжения для схемы на рис. 3.22 6 определяется соотношением Сд - Сбар ( 0) Х X ехр [ п ( f / проб - пер) ] 1 - гДе п - экспериментальный коэффициент. При U Unpo6 емкость Сд резко уменьшается. [13]
Ток термогенерации превышает тепловой ток и возрастает с увеличением обратного напряжения. Эти зависимости приведены на рис. 4 и называются обратной ветвью ВАХ диода. [14]
В-третьйх, реальный диод имеет конечные размеры, поэтому необходимо учитывать процессы, происходящие на поверхности кристалла. Наиболее важным является ток утечки, который влияет на обратную ветвь ВАХ диода. [15]
Страницы: 1 2