Cтраница 2
В недавней работе [93] приведена теоретическая модель шумов ДБШ, учитывающая разогрев электронов и частотно-зависимый ловушечный механизм шумов. Поскольку избыточные шумы зависят от тока диода, модулированного гетеродином, они вводятся в теоретическую модель как коррелированные. В отличие от дробовых шумов учитывается их частотная зависимость, приводящая к уменьшающейся с ростом частоты интенсивности шума в различных полосах приема. Шумовая температура смесителя, рассчитанная с помощью этой модели, объясняет наличие экспериментально наблюдаемого минимума шума охлажденных диодов на семействе характеристик выпрямления ДБШ ( зависимости / от V при фиксированной мощности гетеродина) и позволяет выбирать оптимальный режим смесителя ( напряжение смещения и мощность гетеродина) расчетным путем. В работе [95] приводится экспериментальное подтверждение большой роли поверхностных эффектов в возникновении избыточных шумов. Показано, что в процессе охлаждения после осаждения защитной пленки SiO2 на поверхность эпислоя GaAs, которое производится при температуре 350 С, между слоями возникают значительные механические напряжения. В местах травления окон для анодов ДБШ эти напряжения достигают такой силы, что приводят к растрескиванию поверхности эпислоя по периферии каждого анода. Диоды, получаемые такой типовой технологией, обладают избыточными шумами. Стравливание тонкого слоя ( 25 нм) эпитаксиальной пленки GaAs вокруг анода или применение эластичной защитной пленки вместо SiO2 приводит к исчезновению избыточных шумов в области рабочих токов диода, повышает пробивное напряжение и крутизну обратной ветви ВАХ диодов. [16]