Cтраница 3
Соединение Sn2Th обладает ромбической структурой типа ZrSi2 ( символ Пирсона 0С12, пр.гр. Cmcrri) с параметрами а 0 4463 нм; b 1 7008 нм; с 0 4379 нм. Соединение Sn4Th5 имеет гексагональную решетку типа Са4Т15 с а 0 9643 нм; с 0 6445 нм. Соединение Sn3Th5 кристаллизуется в структуре типа Mn5Si3 ( символ Пирсона API6, пр.гр. Рб / тст) с параметрами а 0 9332 нм; с 0 6477 нм. [31]
Zn ( OH) 2 сохраняется гексагональная решетка типа CdI2, свойственная гидроокисям Mg и Со ( II), а в системе с Ni ( OH) 2 до 35 мол. Таким образом, во всех трех системах образуется ограниченный ряд твердых растворов замещения. [32]
В противоположность работе [1], в работах [3, 4] подтверждено существование борида PtB. Отмечается [3], что PtB имеет гексагональную решетку типа NiAs: а 3 358 А, с 4 058 А. [33]
Диаграмма состояния Gd-Тс не построена. В системе обнаружено соединение GdTc2 с гексагональной решеткой типа MgZn2 вол Пирсона АР12, пр. [34]
I [4]), но ее данные не были приведены. Согласно этой работе, соединение - Nb3Ge2 имеет гексагональную решетку типа Mn5Si3; а 7 718 А, с 5 370 А. Для Nb6Ge3 приведена тетрагональная структура [1]; а 10 148 А, с 5 152 А. В подтверждение структуры P-W, предложенной ранее для соединения Nb3Ge, в работе [2] приведен период ее кубической решетки: а 5 1743 0 0014 А. [35]
FeGas имеет тетрагональную решетку, изоструктурную с СоСаз ( химически близка к структуре СиАЬ); а - 6 25 А, с 6 56 А. Поданным работы [3], соединение Ре7Саз стабильно между 590 и 700 С, имеет гексагональную решетку типа Mg; а 2 617 А, с 4 21з А. [36]
Монокристаллические образцы Na2U2O7 получены сплавлением U3O8 с хлоридом натрия при 850 - 950 С. По данным Л. М. Ковбы и др. [11, 30], Na2U2O7, как и прочие диуранаты, имеет гексагональную решетку типа CaUO4 с дефицитом кислорода. [37]
Сведения о системе Re-Yb противоречивы. В работе [ Ш ] указывается, что спеканием в эвакуированной ампуле при наличии жидкой фазы получено соединение YbRe2 с гексагональной решеткой типа MgZn2 и параметрами а - 0 5340 нм, с - 0 8685 нм. [38]
В работе [1] проведен химический, рентгеновский и металлографический анализы и определена плотность сплавов с 0 - 30 % ( ат. Обнаружены две промежуточные фазы и эвтектика [ - 7 6 % ( ат. Другая, состава Mg3Pt, имеет гексагональную решетку типа Na3As, а 4 577 А, с 8 322 A. [39]
![]() |
Система галлий - теллур. [40] |
При нагревании на воздухе окисляется. Кристаллизуется в моноклинной решетке. Получена его вторая, метастабильная модификация с гексагональной решеткой типа GaS. Остальные теллуриды галлия до сих пор практически не изучены. [41]
При низких температурах - 1400 С в твердом состоянии обнаружены две фазы, границы существования которых требуют уточнения. Фаза у по химическому составу и кристаллической структуре аналогична фазе p ( Pt3Mo) в системе Pt-Mo, имеет тетрагональную решетку с параметрами а - 0 3895; с - 0 3943 нм ( в спеченном сплаве) и а - 0 3896; с - 0 3933 нм ( в сплаве дуговой плавки) при 35 % ( ат. Фаза Е аналогична фазе 6 ( Pt3Mo2) и имеет гексагональную решетку типа Mg ( символ Пирсона hP2, пр. [42]
Исследована [1 ] система с помощью рентгеноструктурного анализа сплавов Tcv последовательно насыщавшихся Zr. Zr образуется фаза с о. Кроме того, в работе [1] обнаружена фаза ZrTc с гексагональной решеткой типа MgZn2; а 5 219 0 001 А, с 8 655 0 001 А. [43]
Шихтовыми материалами служили высокочистый иодидный Hf и электролитический, отожженный в атмосфере водорода Сг. Показано, что соединение ШСг2 диморфно. Рентгеноструктурным анализом ( методом порошка) обнаружено, что в сплавах, отожженных при температурах до 1000 С, соединение HfCr2 имеет гексагональную решетку типа MgZn2l а 5 067 А, с - 8 237 А. [44]
В структуре типа MgNi2 на элементарную ячейку приходится 8 формульных единиц. Атомы В располагаются в вершинах тетраэдров, образуя структуру, представляющую собой нечто среднее между двумя предыдущими структурами ( фиг. Каждый атом А окружен четырьмя другими атомами А, однако в данном случае они образуют смешанную структуру из кубической решетки типа алмаза и гексагональной решетки типа вюрцита. Структуру, образуемую атомами А, можно представить также в виде чередования трех сдвоенных слоев ( А, В и С), в которых атомы А располагаются по принципу гексагональной компактной упаковки ( см. фиг. [45]