Нужный рисунок - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если хотите рассмешить бога - расскажите ему о своих планах. Законы Мерфи (еще...)

Нужный рисунок

Cтраница 1


Нужный рисунок может быть напечатан щелочным раствором нафтола ( соответственно загущенного при помощи трагант-ной или другой загустки), высушен и проявлен при пропускании через раствор диазосоединения.  [1]

Чтобы вытравить на фоторезисте нужный рисунок, исследователи обычно используют сфокусированный электронный луч, управляемый по программе. Когда широкий электронный луч падает на кремниевую пластинку, электроны, прошедшие через отверстия, вызывают увеличение химической активности окисной плевки в местах падения. Поскольку энергия электронов изменяется в пределах от 1000 до 15000 эв, она недостаточна, чтобы вызвать образование радиационных нарушений или кристаллизацию окисла, представляющего собой двуокись кремния, полученную методом термического окисления. Стравливание облученных областей химическими травителями обычно происходит в три раза быстрее, чем необлученных. В результате травления кристалл обнажается под облученными областями. Оставшаяся окисная пленка все еще имеет достаточную толщину, чтобы маскировать протравленную пластинку во время диффузии примесей в кремний.  [2]

Не все люди обладают художественным вкусом и способны нарисовать нужный рисунок.  [3]

Сама маска в настоящее время изготавливается методом химического вытравливания нужного рисунка на тонкой пленке металлического хрома, нанесенной на стеклянную подложку. Рисунок впечатывается в резистную пленку с помощью управляемого компьютером электронного луча. Способы проявления органического резистного материала, предназначенного для переноса рисунка на объект, основываются на результатах сравнительно недавних изысканий. Используется много новых типов полимеров и химических реакций, без которых усложнение интегральных схем было бы невозможно. Фактически ни одного из этих полимеров в 1970 г, еще не существовало. Примерами новых электроннолучевых резистов могут служить продукты сополимеризации различных алкенов с диоксидом серы. Открытие способов синтеза и фоточувствительных свойств таких материалов относится к совсем недавнему времени.  [4]

Сама маска в настоящее время изготавливается методом химического вытравливания нужного рисунка на тонкой пленке металлического хрома, нанесенной на стеклянную подложку. Рисунок впечатывается в резистную пленку с помощью управляемого компьютером электронного луча. Способы проявления органического резистного материала, предназначенного для переноса рисунка на объект, основываются на результатах сравнительно недавних изысканий. Используется много новых типов полимеров и химических реакций, без которых усложнение интегральных схем было бы невозможно. Фактически ни одного из этих полимеров в 1970 г. еще не существовало. Примерами новых электроннолучевых резистов могут служить продукты сополимеризации различных алкенов с диоксидом серы. Открытие способов синтеза и фоточувствительных свойств таких материалов относится к совсем недавнему времени.  [5]

Травление представляет собой процесс удаления слоя металла для получения нужного рисунка схемы. Процесс травления включает предварительную очистку, собственно травление металла, очистку после травления и удаление фоторезиста.  [6]

Вам может понадобиться перебрать несколько папок или дисков, пока не найдете нужный рисунок.  [7]

8 Схема диффузионного резистора.| Эквивалентная схема диффузионного резистора. [8]

Резисторы с диффузионным слоем ( рис. 5.9) ( диффузионные резисторы) изготавливаются путем применения нужного рисунка на фотомаске, используемой для ограничения диффузионных областей. Диффузионный резистор может изготавливаться одновременно с процессом диффузии при создании базового или эмиттер-ного перехода транзистора. Эквивалентная схема диффузионного резистора ( рис. 5.10) должна включать в себя емкости, а также элементы, характеризующие выпрямляющие свойства р-п-пере-хода. На рис. 5.10 распределенные параметры показаны с помощью большого количества сосредоточенных элементов.  [9]

Последним очень важным этапом химической обработки печатной платы является травление ( процесс удаления слоя металла) для получения нужного рисунка схемы. Процесс травления включает предварительную очистку, собственно травление металла, очистку после травления и удаление резиста. В зависимости от способа изготовления рисунка печатной платы будут изложены также некоторые частные соображения, возможные отклонения от этой схемы.  [10]

11 Технология изготовления эпи-таксиально-планарных кремниевых транзисторов. [11]

Базовые и эмиттерные контакты получают, напыляя на пластины в вакууме пленку алюминия толщиной 0 5 мк и создавая на ней нужный рисунок методом фотолитографии.  [12]

Для печати применяют цинкографские клише с рельефным изображением, плоские формы, металлическая поверхность которых после специальной химической обработки приобретает способность воспринимать краску только на необходимых участках, образуя тем самым нужный рисунок, и биметаллические формы. Для изготовления последних на основной металл - медь - гальваническим способом в соответствии с требуемым рисунком наращивают никель; после химической обработки краска пристает только к меди, образуя на форме определенный рисунок. Биметаллические формы позволяют получать более тонкие линии с ровными краями. Стойкость этих форм благодаря значительной твердости никеля выше, чем цинкографских и плоских форм-клише; они выдерживают до 300 тыс. оттисков, в то время как с плоских форм можно получить до 50 тыс. оттисков.  [13]

Для изготовления трафаретов первой группы существует несколько способов нанесения эмульсионного покрытия, которые можно разделить на прямые и косвенные в зависимости от того, осуществляется процесс фотопечати на трафарете, покрытом фотоэмульсией, или на временной подложке, с которой фотоэмульсия после получения нужного рисунка переносится на трафарет.  [14]

Опыты показали, что если в обычных условиях ( без влияния интерферирующих агентов) след данного рисунка сохраняется достаточно прочно и больной легко выделяет его из всплывающих побочных ассоциаций, то в условиях интерферирующего влияния однородной деятельности следы могут легко исчезать и больной начинает бесконтрольно замещать воспроизведение нужного рисунка побочными, бесконтрольно всплывающими ассоциациями. Это явление принимает особенно выраженные формы на фоне нарастающего утомления.  [15]



Страницы:      1    2    3