Нужный рисунок

Cтраница 2

Структура планарно-эпи-таксиального транзистора. [16]

Нужный рисунок получают фотолитографической обработкой поверхности с помощью шаблона и последующим селективным травлением алюминия, удаляющим металлический слой с соответствующих участков. [17]

Напыление через свободную маску. [18]

Фоторезист и вная маска применяется и при методе непосредственного травления, который заключается в том, что вся подложка покрывается сначала материалом будущей схемы, а затем тонким слоем светочувствительной эмульсии. После экспонирования нужного рисунка схемы через негатив и его проявления под задубленным слоем эмульсии останутся места, соответствующие будущей схеме. Последняя получается путем травления незащищенных задубленным слоем мест в плавиковой кислоте. Недостаток метода заключается в том, что плавиковая кислота оказывает вредное воздействие на подложку. Этот недостаток может быть устранен путем нанесения на подложку ( до начала всех операций) слоя окиси тантала, который предохраняет подложку от разрушения. [19]

Промышленность выпускает сверлильные станки с координатным перемещением шпинделя и программным управлением, позволяющие получить точность порядка 25 мкм. С помощью этих станков можно высверлить нужный рисунок отверстий в пластине из алюминия или нержавеющей стали с очень высокой точностью. [20]

Если реклама набирается в издательстве, то это обычно не бывает связано с дополнительными расходами для рекламодателя. Однако в издательстве может не оказаться нужного рисунка или размера шрифта, либо наборщик издательства не может уделить такого внимания макету, которое требуется по мнению рекламодателя. [21]

Толщина алюминиевого слоя должна быть такой, чтобы он окислялся неполностью. Его стравливают, и на подложке остается нужный рисунок тантала. Толщина d ( мкм) пленки, подвергающейся сквозному окислению, должна уловлетворять соотношению d7 5 - 10 - 4 Un, где Уи - напряжение искрения, В. [22]

Нанесение припойной пасты на коммутационную плату рекомендуется производить через маску. Маска представляет собой металлическую фольгу, на которой протравлен нужный рисунок. Через полностью открытые окна прнпойная паста свободно и равномерно растекается по поверхности коммутационной платы. Количество наносимой припойной пасты регулируется толщиной фольги. Качественные паяные соединения обеспечиваются при толщине слоя припойной пасты от 127 до 254 мкм. [23]

Нанесение припойной пасты на коммутационную плату рекомендуется производить через маску. Маска представляет собой металлическую фольгу, на которой протравлен нужный рисунок. Через полностью открытые окна припойная паста свободно и равномерно растекается по поверхности коммутационной платы. Количество наносимой припойной пасты регулируется толщиной фольги. Качественные паяные соединения обеспечиваются при толщине слоя припойной пасты от 127 до 254 мкм. [24]

Гидравлический блоковый пресс. [25]

Расход пара также относительно невелик. Недостатки метода ограничиваются малой производительностью установки и ограниченными возможностями получения галалита в пестрых рисунках, так как на вальцах труднее получать нужный рисунок. [26]

После создания областей п-р - п типа в структуре кремния необходимо создать омические контакты алюминия с кремнием в каждой области. Для этого вскрываются окна под контакты и проводится металлизация алюминием, в результате которой алюминий покрывает кремний в местах контактов. После вытравливания нужного рисунка межсоединений производится вжигание алюминия в кремний. [27]

Структуры диффузионного резистора и пленарного транзистора в полупроводниковой ИС. [28]

Формирование в кремниевой пластинке отдельных участков разных типов проводимости производят с помощью диффузии примесей через окна, образованные в пленке двуокиси кремния. Для образования таких окон, как правило, применяется метод фотолитографии, включающий в себя нанесение на поверхность кристалла тонкого слоя светочувствительного полимера - фоторезиста. На фоторезист затем проектируется нужный рисунок, и полученное таким образом изображение проявляется. В результате одни участки фоторезиста полимеризуются и прочно сцепляются с основанием, другие - неполимеризованные - удаляются. Через окна, полученные таким образом в слое фоторезиста, производится травление пленки двуокиси кремния. [29]

Схема устройства печатной машины. [30]

Страницы: 1 2 3