Абсолютное значение - заряд
Cтраница 3
Примером является атом гелия. Ядро этого атома имеет заряд q 2e ( VI.2.1. Г), где е - абсолютное значение заряда электрона. Тогда их орбитальные магнитные моменты ( 111.6.1.2) будут равны по модулю, но противоположны по знаку и суммарный магнитный момент атома PmPm) Pm) будет равен нулю. [31]
Вокруг положительно заряженного ядра почти по круговым орбитам движутся ( иначе упали бы. Суммарный заряд ядра Ze, где Z - порядковый номер элемента в таблице Менделеева, е - абсолютное значение заряда электрона. Вокруг ядра движется Z электронов. В целом атом нейтрален. Электроны движутся вокруг ядра подобно планетам вокруг Солнца, поэтому такая модель атома была названа планетарной. Тем не менее эта аналогия является чисто внешней: природа сил, действующих в той и другой системах, совершенно различна, вращение электрона нельзя считать вращением твердого тела. [32]
Эквиваленты одноатомных и многоатомных ионов равны их ионной массе, деленной на заряд. Эквиваленты солей, кислот и оснований в реакциях обмена выражаются через молекулярную массу, деленную на произведение абсолютного значения заряда одного из ионов на число их в соединении. Аналогичный подход применяется и в других более сложных случаях. Например, в окислительно-восстановительных реакциях эквивалент окислителя ( восстановителя) соответствует молекулярной массе, деленной на то число электронов, которое приобретается ( теряется) одной молекулой окислителя ( восстановителя) в рассматриваемой окислительно-восстановительной реакции. [33]
Примером является атом гелия. Ядро этого атома имеет заряд q - - - 2e ( VI.2.1.1 е), где е - абсолютное значение заряда электрона. [34]
 |
Изменение гидратации иона при его движении к точке разряда. [35] |
Или же разряд происходит на любой точке поверхности твердого электрода с образованием адсорбированного атома ( ад-атом), который диффундирует по поверхности и встраивается в кристаллическую решетку. Разницу между ад-атомом и ад-ионом установить довольно трудно, так как адсорбированная частица скорее всего обладает некоторым парциальным зарядом, меньшим по абсолютному значению заряда иона в растворе. Рост катодного осадка определяется либо разрастанием двумерных зародышей по поверхности, либо ростом трехмерных зародышей не только в ширину, но и в высоту. При разрастании двумерных зародышей поверхность покрывается моноатомным слоем осаждающегося металла. Образование нового слоя металла происходит после покрытия всей поверхности моноатомньш слоем и возникновения на ней новых двумерных зародышей. Такой механизм роста наиболее вероятен на идеально гладкой поверхности без дефектов кристаллической решетки. [36]
Внутри оболочки напряженность поля равна нулю, поскольку оболочка является проводником. На внешней поверхности оболочки расположен заряд, знак которого противоположен знаку заряда на внутренней оболочке, а абсолютное значение по закону сохранения заряда равно абсолютному значению заряда на внутренней поверхности. [37]
При радиоактивном распаде ядро атома одного элемента может превратиться в ядро атома другого элемента. Место данного элемента в таблице Менделеева определяется его порядковым номером Z, который равен суммарному положительному заряду ядра ( в единицах заряда, равных абсолютному значению заряда электрона) и числу электронов, движущихся вокруг этого ядра. Массовое число показывает количество протонов ( р) и нейтронов ( п) в ядре атома данного элемента. Протоны и нейтроны связаны в ядре очень большими силами, имеющими негравитационный и неэлектрический характер, так как они сильнее даже электрических ( у нас уже был случай сравнить гравитационные и электрические силы), но гораздо быстрее последних убывают с увеличением расстояния. Эти ядерные силы делают ядро чрезвычайно устойчивым. [38]
Приведенное выше определение эффективных зарядов дефектов равносильно следующему: эффективный заряд дефекта равен изменению суммарного заряда кристалла при образовании в нем одного дефекта данного сорта. Так как заряд кристалла может изменяться только на величины, кратные заряду электрона, из последнего определения эффективных зарядов дефектов вытекает, что они всегда кратны абсолютному значению заряда электрона. В этом отношении они радикально отличаются от эффективных зарядов ионов, используемых в теории химической связи, которые определяются истинным распределением электронной плотности и поэтому могут принимать любые как целочисленные, так и дробные значения. [39]
Вследствие разности концентраций свободных дырок и электронов по обе стороны от границы раздела полупроводников при разомкнутой цепи источника энергии из полупроводника р-типа часть дырок диффундирует в полупроводник и-типа, а из тюлупроводника и-типа часть электронов диффундирует в полупроводник р-типа, полностью рекомбинируя между собой. В результате вдоль границы раздела полупроводников возникают слои неподвижных отрицательных и положительных ионов соответственно со стороны полупроводников р - и и-типов, которые образуют р-п переход. Абсолютные значения зарядов обоих слоев одинаковые. При некотором значении напряженности электрического поля в р-п переходе диффузия через границу раздела полностью прекращается. [40]
Вследствие разности концентраций свободных дырок и электронов по обе стороны от границы раздела полупроводников при разомкнутой цепи источника энергии из полупроводника р-типа часть дырок диффундирует в полупроводник и-типа, а из полупроводника и-типа часть электронов диффундирует в полупроводник р-типа, полностью рекомбинируя между собой. В результате вдоль границы раздела полупроводников возникают слои неподвижных отрицательных и положительных ионов соответственно со стороны полупроводников р - и и-типов, которые образуют р-п переход. Абсолютные значения зарядов обоих слоев одинаковые. При некотором значении напряженности электрического поля в р-п переходе диффузия через границу раздела полностью прекращается. [41]
Вследствие разности концентраций свободных дырок и электронов по обе стороны от границы раздела полупроводников при разомкнутой цепи источника энергии из полупроводника р-типа часть дырок диффундирует в полупроводник - типа, а из Полупроводника и-типа часть электронов диффундирует в полупроводник р-типа, полностью рекомбинируя между собой. В результате вдоль границы раздела полупроводников возникают слои неподвижных отрицательных и положительных ионов соответственно со стороны полупроводников р - и n - типов, которые образуют р-п переход. Абсолютные значения зарядов обоих слоев одинаковые. При некотором значении напряженности электрического поля в р-п переходе диффузия через границу раздела полностью прекращается. [42]
Образующие конденсатор проводники называются его обкладками. Q, а на другой - такой же по величине заряд - Q. Под зарядом конденсатора понимают абсолютное значение заряда одной из его обкладок. [43]
Рассмотрим систему двух параллельных металлических пластин, расстояние между которыми значительно меньше их линейных размеров, заряженных равными по абсолютному значению зарядами противоположного знака. Получить такие заряды можно, либо присоединив эти пластины к разноименным полюсам электрической батареи, либо зарядив одну пластинку и заземлив другую. В последнем случае на внутренней поверхности второй пластины вследствие индукции возникает заряд, равный по абсолютному значению, но противоположный по знаку заряду первой пластины, а одноименный заряд, возникший на наружной поверхности второй пластины, уйдет в Землю. Такая система проводников именуется плоским конденсатором. В дальнейшем, говоря о заряде конденсатора, будем иметь в виду абсолютное значение заряда одного из его пластин. [44]
В отсутствие внешнего электрического поля дипольный момент молекулы неполярного диэлектрика равен нулю. Например, в атоме водорода электрон движется по орбите с такой большой скоростью, что в среднем его положение совпадает с ядром - протоном. Направления векторов F сил, действующих на ядро и электрон, будут противоположны. Возникнет наведенный ( индуцированный) дипольный электрический момент, модуль которого peel, где е - абсолютное значение заряда электрона. Подобно атому водорода ведут себя во внешнем электрическом поле молекулы всех неполярных диэлектриков. При внесении таких диэлектриков во внешнее электрическое поле в молекулах ( атомах) происходит деформация и возникает индуцированный дипольный электрический момент молекул. Молекулы неполярных диэлектриков в электрическом поле по своим электрическим свойствам подобны индуцированным, квазиупругим диполям. [45]
Страницы: 1 2 3 4