Cтраница 2
![]() |
Зависимость твердости марганца от температуры.| Зависимость предела прочности углеродистых сталей от температуры. Цифры у кривых - содержание углерода, %. [16] |
Прямые ветви графиков lgcrs - б или gHB - б, соответствующие разным модификациям, имеют постоянно увеличивающийся угол наклона ф к оси температур по мере перехода от низкотемпературной модификации к высокотемпературной независимо от последовательности изменения типа кристаллической решетки. Например, переход / С12 - Г1 - 2 для кальция и стронция подчиняется закономерности фк. Это наводит на мысль, что фактором, определяющим изменение наклона прямых, являются полигонизация и рекристаллизация. [17]
Прямая ветвь ВАХ возможна при таком подк-ччбнии диода, которое показано на рис. 2 а. Важнейшая ее особенность - экспоненциальная зависимость входного напряжения и токв. [18]
![]() |
Структура фототиристора. [19] |
Прямая ветвь ВАХ тиристора ( рис. 5.21 6) имеет четыре характерные точки М, В, С, К, координаты которых являются основными статическими параметрами тиристора. [20]
Прямая ветвь характеристики стабилитрона не отличается прямой ветви выпрямительного диода. [21]
Прямая ветвь характеристики зенеровского диода идентична прямой ветви обычного плоскостного диода с p - n - переходом ( разд. Когда обратное напряжение, приложенное к зенеровскому диоду, меньше напряжения пробоя, поведение обратного тока опить-таки сходно с поведением обычного плоскостного диода с р-п-пере-ходом. [22]
Прямая ветвь ВАХ обращенного диода аналогична прямой ветви ВАХ обычного выпрямительного диода, так как при прямых напряжениях на обращенном диоде прямой ток может быть образован только в результате инжекции носителей заряда через потенциальный барьер р-п-перехода. Но заметная инжекция может наблюдаться только при прямых напряжениях в несколько десятых долей вольта. [23]
![]() |
Прямые ветви ВАХ германиевого магнитодиода, находящегося в магнитных полях с различной магнитной индукцией. [24] |
Прямые ветви ВАХ германиевого магнитодиода в магнитных полях с различной магнитной индукцией показаны на рис. 14.7. Для оценки чувствительности магнитодиода к магнитному полю, по аналогии с преобразователями Холла, используют вольтовую чувствительность. [25]
Прямая ветвь ВАХ обращенного диода аналогична прямой ветви ВАХ обычного выпрямительного диода, так как при прямых напряжениях на обращенном диоде прямой ток может быть образован только в результате инжекции носителей заряда через потенциальный барьер р-л-перехода. Но заметная инжекция может наблюдаться только при прямых напряжениях в несколько десятых долей вольта. [26]
![]() |
Прямые ветви ВАХ германиевого магнитодиода, находящегося в магнитных полях с различной магнитной индукцией.| Структура биполярного магнитотранзистора с двумя коллекторами и схема его включения. [27] |
Прямые ветви ВАХ германиевого магнитодиода в магнитных полях с различной магнитной индукцией показаны на рис. 14.7. Для оценки чувствительности магнитодиода к магнитному полю, по аналогии с преобразователями Холла, используют вольтовую чувствительность. [28]
Прямая ветвь характеристики типичного кремниевого выпрямителя ( в полулогарифмическом масштабе) приведена на фиг. [29]
![]() |
Зависимость температурного коэфф. напряжения стабилизации от напряжения стабилизации. [30] |