Прямая ветвь

Cтраница 4

Начальный участок прямой ветви также определяется зависимостью / ( / ( f /); циффузионный ток очень мал. [46]

Электрические параметры кенотронов. [47]

В области прямой ветви характеристики основными параметрами реального вентиля являются допустимые для вентиля токи: величина среднего значения за период / а. При прохождении прямого тока падение напряжения или мало зависит от тока или растет с увеличением последнего. [48]

При анализе прямой ветви характеристики приходится учитывать сопротивление толщи полупроводника, особенно заметное в точечных и микроплоскостных диодах. В этом случае ток, протекающий через диод, определяется толщей полупроводника гг и приложенным напряжением. Сопротивление гг носит название сопротивления растекания. [49]

Температурная зависимость прямой ветви ВАХ, согласно (2.5), определяется изменениями / 0 и срт. При больших токах, согласно (2.7), необходимо также учитывать изменение гб. [50]

Ток на прямой ветви ВАХ при достаточно больших значениях ограничивается сопротивлением растекания базы ГЕ. Оно часто больше сопротивления перехода, так как площадь электрического перехода диода чрезвычайно мала. [51]

Дифференциальное сопротивление прямой ветви светодиода АЛ 108 равно 0 3 - 12 Ом. При обратном напряжении пробой наступает при напряжении для АЛ108 - IO - j - 20 В и АЛ109 - 5 - - 10 В. Температурный коэффициент изменения прямого напряжения равен приблизительно 0 12 % на градус. [52]

Семейства входных статических характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ ( а и ОЭ ( б. [53]

Начальный участок прямых ветвей входных характеристик, протяженность которого зависит от мощности транзистора, имеет экспоненциальную форму. [54]

Кусочно-линейная аппроксимация прямой ветви вольт-амперной характеристики диода тремя участками ( а и соответствующая ей схема замещения ( б. [55]

Вообще же ее прямая ветвь имеет меньшую крутизну, а обратная ветвь - наклон. Поэтому реальный диод можно изобразить приближенной схемой замещения, состоящей из идеализированного диода Ди, малого сопротивления гг и большого сопротивления г2 ( рис. 2.5, а), влияние которых приближает характеристику схемы замещения к характеристике реального диода. [56]

Вольт-амперная характеристика диода Д7Ж при различных температурах. [57]

Наименьшим изменениям подвергается прямая ветвь характеристики диода. С увеличением температуры происходит уменьшение прямого падения напряжения, объясняется это уменьшением с температурой величины контактной разности потенциалов и сопротивления объема полупроводникового кристалла. [58]

Типовая вольт-амперная характеристика диода. [59]

Напряжение отсечки U0 прямой ветви характеристики равно 0 1 - 0 5 В для Ge И 0 8 - 1 В для Si. Сопротивление гб для маломощных диодов не превышает 10 - 200 Ом. В то же время напряжения пробоя у различных диодов очень разные. Обычные ( выпрямительные) диоды имеют сравнительно высокие обратные напряжения. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5