Прямая ветвь - вольтамперная характеристика
Cтраница 2
Явление рекомбинации в запорном слое приводит к эффекту задержки напряжения на прямой ветви вольтамперной характеристики при увеличении прямого тока. [16]
Для характеристики тиристоров важным параметром является также величина тока управления, необходимого для полного спрямления прямой ветви вольтамперной характеристики; этот ток называют током спрямления. [17]
Здесь Ямин - сопротивление, которое имеет образец при ымакс, начиная с которого становится заметным нагревание ( величина Rmm определяется из прямой ветви вольтамперной характеристики образца); RQ - сопротивление между двумя омическими контактами при токах в несколько миллиампер, когда инжекцией через них можно пренебречь; R - сопротивление холодного образца, рассчитанное по паспортному значению удельного сопротивления материала, из которого изготовлен образец, и геометрических размеров образца. [18]
 |
Схема усилительного каскада с общей базой.| Схемы включения полупроводникового триода. [19] |
Выходная характеристика триода / к / ( ( / кб) снимается при подаче на р-я-переход коллектор - база обратного напряжения и не может быть аналогичной прямой ветви вольтамперной характеристики полупроводникового диода. [20]
 |
Схема включения туннельного диода ( а и диаграмма работы в режиме усиления ( б. [21] |
Таким образом, в отличие от обычного диода, туннельный диод, хорошо проводит ток как в прямом, так и в обратном направлениях, а на прямой ветви вольтамперной характеристики существует падающий участок, в пределах которого увеличение напряжения сопровождается уменьшением тока. На этом участке внутреннее сопротивление диода оказывается отрицательным, что позволяет применять туннельные диоды для усиления и генерирования колебаний. На рис. 10.25 а показано включение туннельного диода в схеме усиления, а на рис. 10.256 - диаграмма его работы. [22]
В стабис-торах рабочей является прямая ветвь вольтамперной характеристики диода. При этом в технических условиях нормируется не только величина прямого падения напряжения ( напряжения стабилизации), но и величина ТКН. В качестве стабисторов могут быть использованы кремниевые диоды. [23]
 |
Вольтамперная характеристика стабилитрона. [24] |
Стабилитроном называется полупроводниковый вентиль, обладающий способностью работать при процессе электрического пробоя р-п-перехода. Вольтамперная характеристика кремниевого стабилитрона в области прямого тока подобна прямой ветви вольтамперной характеристики обычных кремниевых неуправляемых вентилей. [25]
 |
Вольтамперная характеристика стабилитрона. [26] |
Практически при напряжениях стабилизации ниже 6 В имеет место только туннельный пробой; с ростом напряжения стабилизации увеличивается роль лавинного пробоя. В тех случаях, когда необходимо стабилизировать низкие напряжения, порядка одного вольта, используют прямую ветвь вольтамперной характеристики диода при U; Афк, имеющую слабую зависимость напряжения от протекающего тока. Приборы, использующие этот эффект, называются стабисторами. [27]
Входная характеристика триода представляет собой вольтамперную характеристику p - n - перехода эмиттер - база, к которому приложено прямое напряжение и, конечно, аналогична прямой ветви вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Начальная выходная характеристика полупроводникового триода ( при / 9 0) представляет собой вольтамперную характеристику p - n - перехода коллектор - база, к которому приложено обратное напряжение, и аналогична обратной ветви вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Выходные характеристики триода при / э0 отличаются от обратной характеристики диода, так как при этом по переходу коллектор - база в зависимости от выбранного тока эмиттера может проходить значительный ток, во много раз превышающий обратный ток диода. Однако и эти выходные характеристики имеют примерно такой же наклон, что и обратная ветвь вольтамперной характеристики полупроводникового диода. [28]
 |
Схема для снятия статических. [29] |
По абсолютной величине ток базы / б всегда значительно меньше тока эмиттера. В этом заключается преимущество схемы ОЭ по сравнению со схемой ОБ, в которой входным является ток эмиттера. При UM 0 входная характеристика соответствует прямой ветви вольтамперной характеристики эмиттерного л-р-перехода. [30]
Страницы: 1 2 3