Прямая ветвь - вольтамперная характеристика
Cтраница 3
При этом можно считать, что при небольших отклонениях рабочего тока в схеме от нормировочного значения величина ( у пр меняется незначительно. В некоторых случаях, когда важна идентичность прямых ветвей вольтамперной характеристики используемых диодов, величина ( Упр оговаривается при двух значениях тока i lp, причем для меньшего прямого тока на параметр L / P вводится двухстороннее ограничение. [31]
Естественно, что важнейшей характеристикой управляемого переключателя является зависимость напряжения переключения от тока управляющего электрода. При увеличении тока управляющего электрода величина напряжения переключения уменьшается. При достаточно больших значениях тока управляющего электрода вольт-амперная характеристика W управляемого переключате - 250 ля вырождается в прямую ветвь вольтамперной характеристики обычного плоскостного диода. [32]
Точечно-контактные диоды на основе фосфида галлия выпрямляют токи до 0 5 А при температурах до 800 С. Омическим контактом для таких диодов служит сплав галлия с индием. В качестве выпрямляющего контакта используется вольфрамовая игла. Напряжение перегиба прямой ветви вольтамперной характеристики составляет 1 2 В. Отформованные диоды имеют прямые точки до 0 5 А при напряжении порядка 5 В. Обратные токи составляют не более 3 10 - 8 А при напряжениях 5 - 10 В. [33]
 |
Зависимость напряжения переключения управляемого переключающего диода от тока управляющего электрода ( базы. [34] |
На рис. XI.7 показан вид вольтамперной характеристики триод-тиристора. Таким образом, этот случай полностью аналогичен рассмотренному ранее. Подача внешнего сме - иосп щения на управляющий электрод ( базу) приводит к росту тока через систему и снижению величины напряжения переключения. При достаточно больших токах базы вольт-амперная характеристика вырождается в кривую, аналогичную прямой ветви вольтамперной характеристики диода. [35]
 |
Вольтамперные характеристики меднозакисного ( а, титанового ( б и селенового ( fl выпрямителей. [36] |
Технология изготовления окисных полупроводников ( Си2О и ТЮ2) для мед-нозакисных и титановых выпрямителей практически одинакова. При получении меднозакисного выпрямителя медную пластину окисляют при температуре 1040 С для получения слоя закиси меди. Поверх этого слоя испарением в вакууме наносят серебряный или золотой электрод. Выпрямление в такой двух-злектродной системе происходит на границе меди с закисью меди. При этом прямой ток протекает от закиси меди к меди. После изготовления пластину подвергают длительному отжигу при 90 С для стабилизации параметров. Вольтамперная характеристика такой пластины показана на рис. 3.12, а. Из рисунка видно, что прямая ветвь вольтамперной характеристики имеет линейный участок. Это свойство меднозакисного выпрямителя используется в измерительной технике. [37]
Страницы: 1 2 3