Прямая ветвь - вольт-амперная характеристика
Cтраница 1
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики у стабилитрона такого же вида, экак у обычного диода. [1]
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики с ростом температуры сдвигается влево приблизительно на 2 - 2 3 мВ при повышении температуры на каждый 1 К. [2]
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики стабилитрона имеет такой же вид, как и у обычного диода. Падение прямого напряжения при токах, больших 1 ма, составляет около 0 7 - 0 8 в. Это свойство стабилитронов широко используется для взаимной компенсации температурных изменений напряжения стабилизации. У включенных последовательно стабилитрона, работающего в нормальном режиме, и одного или нескольких стабилитронов в прямом направлении суммарный температурный коэффициент напряжения может быть сведен практически к нулю. Например, для термокомпенсации одного стабилитрона с напряжением С / ст 8 - г - 8 5 в потребуются три стабилитрона, включенных в прямом направлении. По такому принципу изготавливаются особо стабильные стабилитроны с ТКН до 0 0005 %, не уступающие по свойствам нормальным элементам третьего-второго классов. [3]
 |
Структура тиристора.| Вольт-амперная характеристика тиристора. [4] |
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики тиристора имеет три характерных участка. Участок / соответствует запертому состоянию тиристора. [5]
 |
Структурная схема ( а и эквивалентная схема ( б лавинного тиристора. [6] |
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики прибора ( рис. 4.10, а - в, кривые 3) является результатом сложения вольт-амперных характеристик четырехслойной структуры ( рис. 4.10, а-в, кривые /) и транзистора ( рис. 4.10, а - в, кривые 2), находящихся под одним и тем же потенциалом. [7]
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики р-л-перехода описывается выражением. [8]
 |
Вольт-амперные характеристики р-п-пере-хода ( сплошная кривая и полупроводникового диода ( пунктирная кривая. [9] |
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики полупроводникового диода ( пунктирная кр ивая на рис. 6) отличается от характеристики p - n - переходов в результате падения напряжения в слоях полупроводника вне переходной области, которое ранее не учитывалось. [10]
 |
Энергетическая диаграмма ( а и вольт-амперные характеристики ( б обращенных диодов. [11] |
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики обращенного диода аналогична прямой ветви вольт-амперной характеристики обычного выпрямительного диода, так как при прямых напряжениях на обращенном диоде прямой ток может быть образован только в результате инжекции носителей заряда через потенциальный барьер электронно-дырочного перехода. Но заметная июкекцпя может наблюдаться только при прямых напряжениях в несколько десятых долей вольта. [12]
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики кремниевого диода имеет резкий излом, поэтому для стабилизации напряжений, равных 1 - 1 3 В, можно использовать эти диоды, включенные в прямом направлении. [13]
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики перехода Шоттки ( /) и р-п - перехода ( 2) изображена на рис. 2.12. Начальный участок представляет собой режим термоэлектронной эмиссии, а следующий участок определяется падением напряжения на сопротивлении толщи полупроводника. [14]
 |
Зависимость тока удержания от температуры. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5