Прямая ветвь - вольт-амперная характеристика
Cтраница 3
Так как наклон прямой ветви вольт-амперной характеристики вентиля зависит от температуры, то значительный перепад температур крайних рядов параллельно включенных вентилей приводит к неравномерному делению токов между ними. [31]
Однако вследствие неидентичности прямых ветвей вольт-амперных характеристик выпрямительных диодов даже одного типа ток, проходящий через одну из параллельных ветвей, может значительно превышать токи, проходящие в других ветвях параллельного соединения диодов. При этом один из диодов перегревается, его пробивное напряжение снижается, что вызывает дальнейший разогрев диода за счет увеличения обратного тока, и диод выходит из строя. Таким образом, параллельное соединение диодов допустимо только в том случае, если в каждую ветвь последовательно с диодом включено дополнительное сопротивление RA, составляющее единицы или доли ом. [32]
На рис. 1.29 приведена прямая ветвь вольт-амперной характеристики ( в. Как видно из рисунка, она отличается от идеальной характеристики, уравнение которой (1.64) было получено в § 1.5. Это отличие обусловлено еле-дующим. [33]
Положительным значениям U соответствует прямая ветвь вольт-амперной характеристики с высокой проводимостью, отрицательным - обратная ветвь с низкой проводимостью. [34]
На рис. 7.8 показаны прямые ветви вольт-амперных характеристик светодиода, созданного на основе кристалла карбида кремния. [36]
Это означает, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики четырехслойной структуры обладает участком отрицательного сопротивления ( участок ab на рис. 3.30, в), на котором рост тока обусловлен снижением напряжения. [37]
Наши экспериментальные данные для прямой ветви вольт-амперной характеристики весьма хорошо согласуются с теоретическими кривыми. Обратные характеристики не совпадают с теоретическими. Зависимости емкости от обратного смещения показали линейный характер р - / г-перехода и дали некоторые данные для расчета. [38]
Наши экспериментальные данные для прямой ветви вольт-амперной характеристики весьма хорошо согласуются с теоретическими кривыми. Обратные характеристики не совпадают с теоретическими. Зависимости емкости от обратного смещения показали линейный характер р - n - перехода и дали некоторые данные для расчета. [39]
Для компенсации смещения идо прямой ветви вольт-амперной характеристики диода ( см. рис. 69) и связанного с ним смещения линейного отрезка на величину Аиех ( см. рис. 70) используется небольшое положительное напряжение ( 0 15 - 0 2 в), которое подается на резисторы R5 - R24 ( рис. 78), соединенные с общей точкой каждой пары диодов. [40]
Рассмотрим влияние температуры на прямую ветвь вольт-амперной характеристики вентиля. Это влияние принято оценивать температурным коэффициентом напряжения ( ТК О, который определяется как изменение падения напряжения, соответствующее изменению температуры на один градус при постоянном токе. [41]
 |
Типичная вольт-амперная характеристика туннельного диода. [42] |
Максимальный: и минимальный токи прямой ветви вольт-амперной характеристики известны как токи пика и провала соответственно. Минимум наблюдается при значениях приложенного напряжения смещения в диапазоне 100 - 300 мВ в зависимости от материала перехода, уровня легирования и температуры. [43]
На рис. 2 приведены графики прямых ветвей вольт-амперной характеристики эпитаксиально-диффузионных переходов на a - SiC. На каждой кривой можно найти три участка: I - токов утечки, II - с зависимостью тока от напряжения, близкой к экспоненциальной, и III-токов, ограниченных последовательным сопротивлением толщи кристалла и омических контактов. [44]
На рис. 2 приведены графики прямых ветвей вольт-амперной характеристики зпитаксиально-диффузионных переходов на a - SiC. На каждой кривой можно найти три участка: I - токов утечки, II - с зависимостью тока от напряжения, близкой к экспоненциальной, и III - токов, ограниченных последовательным сопротивлением толщи кристалла и омических контактов. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5