Рост - концентрация - электрон
Cтраница 1
Рост концентрации электронов и дырок в средней части образцов ограничен только скоростью рекомбинации носителей. Инжекция, ограниченная рекомбинацией, более эффективна, чем инжскция, ограниченная пространственным зарядом. [2]
С ростом концентрации электронов и дырок, способных участвовать в электрической проводимости, возрастает вероятность обратного процесса - рекомбинации носителей с одновременным исчезновением электрона и дырки. Вероятность этого процесса, а следовательно, и скорость его пропорциональны произведению концентраций носителей [ ср. [3]
Наряду с ростом концентрации электронов в гс-слое на участке АВ не возник высокоомный слой, который ранее образовывался на границе с / г - подложкой при концентрации электронов в растущем тг-слое около 1015 см-3. Этот факт согласуется с результатами работы [25], согласно которым высокоомные слои в переходной области не образуются при концентрации электронов в растущем слое выше 1016 см-3. Это позволяет технологически использовать предварительное наращивание высоколегированного буферного слоя па п - подложку с целью получения резких п-п - переходов без высокоомных слоев. В нашем случае ( кривая 1 на рис. 2) это действительно подтвердилось. [4]
Уровень Ферми увеличивается с ростом концентрации электронов проводимости. [5]
Поскольку энергия активации падает с ростом концентрации электронов, ясно, что стадия, определяющая скорость реакции, должна включать образование связей с использованием квазисвободных электронов окиси цинка. [6]
 |
Оптимальные соотношения между концентрацией электронов п, толщиной канала dK, длиной затвора L3 и выходной мощностью Явых на единицу ширины канала ПТШ на рабочих частотах. [7] |
Вместе с тем установлено, что с ростом концентрации электронов в активном n - слое полупроводника улучшаются такие параметры ПТШ, как Smax и Ucnac, однако при этом снижается напряжение пробоя цепи затвор - сток, что приводит к ограничению номинала напряжения источника питания, определяющего выходную мощность усилителя мощности. [8]
При низких температурах в обычных условиях с ростом концентрации электронов возбужденные подзоны могут заполняться электронами двумя возможными способами. Расчеты Стерна в рамках приближения Хартри показывают, что при достаточно высоких концентрациях электронов Е0, Е1 и, следовательно, вначале будет заполняться электронами первая возбужденная подзона в двух обычных долинах. [9]
 |
Прямолинейная an - [ IMAGE ] Однополупериодный проксимация прямой ВАХ дио - прямой ток синусоидальной форда, мы через диод. [10] |
Вследствие этого проводимость базы диода остается примерно постоянной несмотря на рост концентраций электронов и дырок с ростом тока. Падение напряжения на п-базе возрастает при этом примерно пропорционально току. [11]
Уравнение закона действия масс для собственной ионизации (4.15) показывает, что с ростом концентрации электронов проводимости концентрация дырок [ е ] монотонно уменьшается. [12]
Это обусловлено тем, что при высоких уровнях инжекции удельная электропроводность базы из-за роста концентраций электронов и дырок увеличивается пропорционально току. Вследствие этого падение напряжения на базе остается постоянным. [13]
Из рис. 3 видно, что, несмотря на имеющийся разброс точек, отчетливо наблюдается возрастание т п по мере роста концентрации электронов. Для наиболее чистых образцов исследованного сплава эффективная масса электронов имеет значение, меньшее, чем в антимониде индия. [14]
В диэлектриках, как и в металлах, подвижность электронов убывает с ростом температуры. Однако уменьшение подвижности происходит значительно медленнее роста концентрации электронов проводимости. Поэтому электрическая проводимость диэлектриков с ростом температуры увеличивается. [15]
Страницы: 1 2 3