Cтраница 2
При данном давлении смеси существует оптимальная сила разрядного тока г 0пт, которая тем меньше, чем больше давление смеси. Падение усиления при больших токах Связано с ростом концентрации электронов и эффективным заселением уровней 2р Зр путем ступенчатого возбуждения электронами через уровни Is. Поскольку с увеличением давления смеси концентрация электронов возрастает, оптимальными оказываются меньшие значения силы разрядного тока. [16]
Если вблизи катода существует малейшая неоднородность кристалла ( что весьма вероятно), то локальная напряженность поля в этой части будет несколько выше величины поля в остальной части кристалла и может превышать пороговую величину. Пороговая напряженность поля в этой части кристалла обеспечивает рост концентрации тяжелых электронов с малой подвижностью и уменьшение концентрации легких электронов с большой подвижностью, что приводит к локальному увеличению сопротивления. Происходит перераспределение падений напряжения по длине кристалла. Напряженность поля в некоторой части кристалла ( в домене) увеличивается, а в остальной части уменьшается. [17]
Из формулы ( 109) следует, что с увеличением концентрации электронов на поверхности i вероятность адсорбированной частицы находиться в реакционноспособном состоянии, - характеризуемая величиной По, проходит через максимум. Вероятность образования ковалентной связи мала при малой концентрации электронов и монотонно возрастает с ростом концентрации электронов. Вероятность образования ионной связи монотонно падает с увеличением концентрации электронного газа. [18]
Следовательно, интенсивность рассеяния лимитируется в основном величиной экранирования, и отношение форм-факторов F ( q, Zj) / F ( q) определяет зависимость подвижности, ограниченной кулоновским рассеянием, от концентрации электронов. Поскольку для Zj 0 F ( q, г) убывает с ростом q значительно быстрее, чем F ( q), результирующая эффективная подвижность при низких температурах растет с ростом концентрации электронов. Кроме того, реальная подвижность чувствительна к расстоянию заряженных центров от поверхности и с его ростом достаточно быстро уменьшается. Возможное распределение заряженных центров по координате z приводит к дополнительной концентрационной зависимости. [19]
Если число электронов проводимости очень мало, то ситуация похожа на ту, что мы имеем в полупроводниках, где возникают связанные экситонные состояния ( см. особенно разд. Действительно, вероятность того, что дырка перепрыгнет на соседний атом, очень мала, так как исчезающе мала степень перекрытия волновых функций внутренних оболочек различных атомов. Но с ростом концентрации электронов проводимости надо ожидать, что в результате экранирования эффективное взаимодействие между электроном и дыркой будет быстро уменьшаться. [20]
Ферми полупроводник переходит в область истощения: примесь вся ионизована, концентрация электронов остается постоянной, концентрация дырок возрастает, уровень Ферми приближается к середине запрещенной зоны. По мере приближения уровня Ферми к середине запрещенной зоны кон центрация дырок возрастает при практически неизменной концентрации электронов. При дальнейшем росте концентрации дырок будет происходить и рост концентрации электронов, достигается равенство п - р, и полупроводник из примесного превращается в собственный полупроводник. [21]
Ферми полупроводник переходит в область истощения: примесь вся ионизована, концентрация электронов остается постоянной, концентрация дырок возрастает, уровень Ферми приближается к середине запрещенной зоны. По мере приближения уровня Ферми к середине запрещенной зоны концентрация дырок возрастает при практически неизменной концентрации электро - нов. При дальнейшем росте концентрации дырок будет происходить и рост концентрации электронов, достигается равенство ЕО. [22]
Хотя ситуация весьма похожа на ту, что реализуется на поверхности ( 100) Si, она обладает двумя отличительными чертами. Во-первых, нормальная к поверхности компонента эффективной массы в нештрихованных подзонах больше, чем у Si, а плотность состояний значительно меньше из-за малой поперечной массы и отсутствия долинного вырождения. Это означает, что энергия Ферми растет с ростом концентрации электронов значительно быстрее, так что электроны сравнительно быстро заполняют несколько возбужденных подзон. Во-вторых, резкая анизотропия эффективных масс и потому малая нормальная компонента массы для подзоны 0 приводят к выталкиванию ее достаточно высоко по энергии. [23]
Гц) существует фактически сформированное плато, а с ростом частоты на кривой образуется структура с двумя провалами. Ландау с п 0 между двумя полностью заполненными подуровнями с параллельной ориентацией спинов и между двумя полностью пустыми подуровнями с антипараллельной ориентацией спинов, холловское напряжение имеет постоянное значение ( не зависящее от частоты), близкое к величине плато. Примечательной особенностью результатов является то, что отклонение от плато максимально, когда выше середины щели имеется немного электронов или ниже этой середины - несколько дырок. Рост концентрации электронов или дырок приводит снова к тому, что холловское напряжение становится равным своему значению на постоянном токе. [24]
На рис. 27 приведен пример вычисленных резонансных энергий в инверсионном слое п-типа на поверхности ( 100) Si при No6eaH 1 10 см-2. Сравниваются резонансные энергии перехода 0 - 1, полученные с учетом только эффекта деполяризации, только эффекта экси-тонного типа и обоих эффектов вместе, с энергией расщепления двух нижних подзон. При низких концентрациях электронов эффект экситонного типа более важен, чем эффект деполяризации, и резонансная энергия несколько меньше энергии расщепления. С ростом концентрации электронов эффект деполяризации усиливается и резонансная энергия становится больше, чем энергия расщепления подзон. В приближении Хартри важную роль играет взаимодействие между различными подзонами. Оно изменяет интенсивность переходов таким образом, что переходам с большими энергиями соответствуют большие силы осциллятора. Аналогичное поведение наблюдается в обычном однородном электронном газе, в котором плазменные осцилляции имеют большую интенсивность, чем одно-частичные возбуждения в динамическом структурном факторе, при больших длинах волн. Аллен, Цуи и Винтер [33] рассчитали форму линии резонанса, приняв во внимание только три нижние подзоны Е0, Е и Е2, и показали, что переход 0 - 2 по сравнению с переходом О - 1 характеризуется гораздо большей интенсивностью. Обменный и корреляционный эффекты ослабляют взаимодействие между различными подзонами. [25]
При возникновении импульса управляющего тока запирающий слой со стороны катода сильнее поляризуется в проводящем направлении, что вызывает усиленную инжекцию электронов из катодной зоны в р-зону базы. Вначале лишь очень небольшая часть дополнительно инжектированных электронов вследствие особенно значительного теплового движения достигает среднего запирающего слоя. Большая часть их создает лишь повышенную концентрацию электронов, а следовательно, и концентрацию дырок в р-зоне базы. Лишь с ростом концентрации электронов в р-зоне базы растет также число электронов, которые за счет диффузии достигают среднего запирающего слоя. Электронный ток, протекающий через запирающий слой S2, начинает постепенно возрастать через некоторый промежуток времени, который можно назвать временем накопления при включении. [26]
Высказанные соображения позволяют качественно понять стабилизирующую и дестабилизирующую роль различных элементарных процессов. Например, объемная электрон-ионная рекомбинация служит стабилизирующим фактором, так как определяемая ею скорость гибели электронов Z / гг / геП ( - ооп, в то время как скорость ионизации атомов из основного состояния Z kinenaxne. Стабилизирует разряд и балластное сопротивление Кб во внешней электрической цепи. Действительно, в случае роста концентрации электронов ток, а следовательно, и падение напряжения на сопротивлении растут, а напряжение на разряде при постоянной ЭДС источника питания ео const падает. Уменьшение электрического поля, как следует из (3.26), приводит к уменьшению величин Гесо. Таким образом, из-за балластного сопротивления Z растет медленнее, чем оопе, а при больших R6 - даже падает. [27]
Хотя экспериментальное исследование поверхностей ( 100), ( ПО) и ( 111) Si началось одновременно, низкая подвижность электронов на двух последних поверхностях долгое время препятствовала детальному изучению их свойств. В работах [1302, 1303] с помощью обычного метода, апробированного на поверхности ( 100), определялись эффективная масса и эффективный g - фактор. Было показано, что с ростом концентрации электронов эти величины соответственно унелнчиваются и уменьшаются. [28]
Если в рассеянии принимают участие два или более механизмов рассеяния, то спектр поглощения свободными носителями заряда становится более сложным. На рис. 109 приведен спектр поглощения электронами в теллуриде кадмия. Как видно из рис. 109, наклон прямых с ростом концентрации электронов возрастает, что свидетельствует о возрастающей роли поглощения при рассеянии на ионах примеси. Аналогичный эффект имеет - место при понижении температуры. [29]
Это означает, что часть вакансий занимается атомами кадмия, сораст-воряющимися с CdCb. Таким образом, создается избыток кадмия. Поскольку величина этого избытка зависит от концентрации вводимой примеси, то можно говорить о регулируемом примесью отклонении от стехио метрического состава. В результате решетка лишается соответствующей части акцепторов, что компенсируется ростом концентрации электронов. [30]