Рост - кристалл
Cтраница 1
Рост кристаллов в камере наращивания 4 происходит зз счет подкачиваемого раствора второго потока ( сироп-2), который подается через патрубок 24 и барботер 22 в каждую секцию. Затем открывают задвижку 26 и готовая сахарная суспензия по трубе 8 и патрубку 27 непрерывно выгружается в контрольный ящик 29, а из него через патрубок 30 направляется в мешалку - кристаллизатор. [1]
Рост кристаллов происходит в результате направленного перехода к ним атомов. [2]
Рост кристалла хорошо объясняется при наличии в нем хотя бы одной дислокации, имеющей винтовую компоненту и выходящей на плотноупакованную атомную плоскость. [3]
Рост кристалла по незавершенным граням при наличии дефектов энергетически более выгоден, так как адсорбируемые атомы вступают сразу в связь не с одним, а с двумя и более атомами. Такой рост, следовательно, может протекать при меньших степенях пересыщения в случае совершенной поверхности растущего кристалла. Однако такой рост не может продолжаться бесконечно, так как поверхность становится гладкой и в дальнейшем кристалл должен расти путем отложения двумерных зародышей на этой поверхности. [4]
Рост кристаллов из паров протекает по тому же механизму, но в обратном порядке: вначале происходит адсорбция частицы на поверхности, затем она диффундирует по поверхности к краю движущегося монослоя и, наконец, перемещается по краю ( ступени) к излому. [5]
Рост кристаллов и их выпадение из раствора происходят постепенно. Мелкокристаллический продукт отфильтровывают, промывают водой, спиртом и высушивают при 40 - 50 С. [6]
Рост кристаллов - процесс самопроизвольный, определяемый стремлением системы к уменьшению запаса внутренней энергии. [7]
Рост кристаллов происходит на сформировавшихся и достигших критической величины зародышах. [8]
Рост кристаллов для второго механизма определяется скоростью встраивания ионов либо молекул в кристаллическую решетку. [9]
 |
Влияние скорости охлаждения на процессы кристаллизации. а - кривые охлаждения чистого металла. б - влияние степени переохлаждения Д Г на скорость зарождения ( СЗ и скорость роста ( СР. [10] |
Рост кристалла заключается в том, что к поверхности зародышей присоединяются все новые атомы жидкого металла. Сначала образовавшиеся кристаллы растут свободно, сохраняя правильную геометрическую форму. При столкновении растущих кристаллов их форма нарушается, и в дальнейшем рост продолжается только там, где есть свободный доступ к расплаву. В результате кристаллы не имеют правильной геометрической формы. Такие кристаллы называются зернами. На рис. 1.5, б показана зависимость этих параметров от степени переохлаждения расплава. [11]
Рост кристаллов из газовой фазы в ряде случаев имеет слоисто-спиральный характер, и при этом скорость перемещения изолированной ступени определяется кривизной ступени и поверхностной энергией. [12]
Рост кристаллов происходит в процессе медленного движения раствора вниз. При этом мелкие кристаллы поддерживаются потоком хладоагента во взвешенном состоянии. Полученная кристаллическая суспензия отстаивается в нижней части аппарата. Осветленный маточник IV выводится через центральную трубу 2, а сгущенная суспензия / / / из нижней части аппарата. [14]
Страницы: 1 2 3 4