Рост - кристалл
Cтраница 2
Рост кристалла значительно облегчается тем, что грани его не представляют идеально ровных плоскостей. На гранях растущего кристалла всегда имеются различные дефекты поверхности в виде ступенек и выступов, на которых легко удерживаются новые атомы, поступающие из жидкости. [16]
Рост кристаллов регулируют подкачками сиропа с таким расчетом, чтобы в 1 г получить 3000 - 5000 шт. В конце уваривания в утфеле содержится около 60 % кристаллов. Для уменьшения цветности утфеля в аппарате в два приема до заводки кристаллов и в конце уваривания вводят гидросульфит натрия из расчета 100 г на 10 т утфеля. [17]
 |
Скорость образования и роста кристаллов. [18] |
Рост кристаллов является типичным массообменным ( диффузионным) процессом. [19]
Рост кристаллов в стареющих слоях лишь незначительно влияет на предельные величины адсорбции водорода, но он понижает скорость сорбции и десорбции. Скорость сорбции на спекшихся слоях зависит от давления. Опыты Добычина и Фроста с палладием и водородом и с платиной и азотом показали, что когда десорбция продолжалась меньше двух минут, спекание происходило лишь после того, как слой терял больше 95 % ранее сорбированного водорода. Они нашли также, что водород, а также другие газы значительно замедляют эффект спекания. [20]
Рост кристалла в направлении, перпендикулярном к направлению цепи, связан с наслаиванием сегментов полимера на уже существующий субстрат. Большинство объяснений роста ламеллярных кристаллов [27, 63, 69] включали предположение, что наслаивание полной последовательности кристаллических звеньев осуществляется в одноактном процессе. [21]
Рост кристаллов в результате перекристаллизации кубического карбида кремния начинается при температуре свыше 1800 С, поэтому в зоне получения крупнокристаллического продукта температура должна быть 1800 - 2100 С. [22]
Рост кристаллов при использовании газообразных минерализаторов и связанный с ним процесс образования изолированных кристаллов отдельных компонентов могут предшествовать механическому или магнитному разделению гетерогенных смесей. [23]
 |
Спираль роста кристалла парафина С3бН74 ( 1500-кратное увеличение. [ Frank F. С.. Adv. Phys., I, 91 ( 1952 ]. [24] |
Рост кристаллов всегда начинается на примеси или, возможно, на несовершенном агрегате молекул п оттуда продолжается дальше. [25]
Рост кристаллов по механизму образования двумерных зародышей [72] может осуществляться при достаточно быстром переносе вещества в виде моноатомного пара в изломы критического зародыша. [26]
 |
Скорость образования и роста кристаллов. [27] |
Рост кристаллов является типичным массообменным ( диффузионным) процессом. [28]
Рост кристалла происходит по границам зерен. Образцы были подвергнуты нагреванию в продолжение нескольких часов при 1100 С ( область растворимости углерода. Затем температура была медленно ( примерно в продолжение 15 мин. С) и поддерживалась на этом уровне в продолжение нескольких часов. [29]
Рост кристаллов происходит одновременно по всем его граням, однако при различных линейных скоростях роста отдельных граней. Одни из них исчезают, другие - развиваются, что приводит к изменению внешнего вида кристалла. [30]
Страницы: 1 2 3 4