Рост - единичный кристалл
Cтраница 1
Рост единичных кристаллов из разбавленных растворов описан для большинства кристаллизующихся полимеров. [1]
Пусть рост единичного кристалла происходит в условиях, когда концентрация и температура раствора, в котором находится этот кристалл, не меняются во времени. Кроме того, примем, что кристалл имеет форму шара ( рис. 27) радиусом г и окружен диффузионным слоем толщиной S, не изменяющейся во времени. [2]
Нарушение роста единичных кристаллов обусловлено здесь изменением концентрационного режима в прилегающей зоне, а образующиеся осадки характеризуются преимущественно столбчатым строением. [3]
 |
Микрофибриллы полиакрилонитрила и скопление этих фибрилл. Платиноуглеродная реплика, X 18 800 ( электронная микрофотография.| Монокристалл полиакрилонитрила 87, X 36 000. [4] |
Результаты исследований сферолитов и роста единичных кристаллов полиакрилонитрила показывают, что полимер имеет ярко выраженный кристаллический характер. [5]
Согласно этим представлениям, массовая кристаллизация из раствора определяется ростом единичных кристаллов, зародившихся в начале процесса. Теплообмен должен быть полностью подчинен кристаллизации, создавая лишь оптимальные условия, обеспечивающие максимальную скорость кристаллизации на зародившихся кристаллах и предотвращающие возникновение новых центров кристаллизации. [6]
 |
Изменение концентрации раствора с с расстоянием х от растущего кристалла. [7] |
Тепловыделение при кристаллизации вдали от температуры плавления невелико и для роста единичных кристаллов малозначимо, однако при массовой кристаллизации его необходимо учитывать. [8]
Рост кристаллов в условиях массовой кристаллизации в сущности не отличается от роста единичных кристаллов. Поэтому сведения, полученные при изучении закономерностей роста монокристаллов, могут быть использованы при описании процесса образования кристаллов в условиях массовой кристаллизации. Однако коллективный рост кристаллов имеет и свои особенности. [9]
Определяющее значение условия минимального перенапряжения при электрокристаллизации выявляется на примерах изменения площади роста единичного кристалла и поликристаллического осадка при изменении силы тока в электролитической ячейке. [10]
Проведенные исследования показывают, что в изотермически-изогидрических условиях кипения кристаллизующейся дисперсной системы с подкачиванием раствора рост единичных кристаллов происходит за счет рекристаллизации и кинетика роста единичных кристаллов определяется кинетикой рекристаллизации. [11]
Первый путь широко использовался, особенно в нашей лаборатории, при изучении форм и механизма роста единичных кристаллов или системы из отдельных немногих кристаллов. Однако он оказывается полностью неприменимым для сплошных осадков как плотных, так и порошковых: возникающие при росте таких осадков мощные конвекционные потоки ( обедненного раствора - вверх) не позволяют вести микроскопические наблюдения. [12]
 |
Схема экспериментальной установки для измерения скорости роста кристалла.| Схема установки для определения скорости роста кристаллов во. [13] |
Наиболее распространены три основных метода экспериментального определения кинетических характеристик процесса кристаллизации: 1) изучение роста единичного кристалла; 2) исследование периодического процесса кристаллизации монодисперсной начальной массы затравочных кристаллов; 3) измерение фракционного состава кристаллов, получаемых в непрерывном процессе. Каждый из методов имеет свои преимущества и недостатки. [14]
Чтобы монокристалл рос, необходимы два главных условия: наличие монокристаллической затравки или создание условий для роста единичного кристалла и поддержание достаточно медленной скорости выращивания, с учетом анизотропии роста граней кристалла и скорости протекания различных релаксационных процессов. [15]
Страницы: 1 2