Рост - единичный кристалл
Cтраница 2
Потребность вещества к уменьшению поверхностного натяжения приводит к складыванию лент в плоские образования, дающие начало роста плоскостных единичных кристаллов. [16]
Проведенные исследования показывают, что в изотермически-изогидрических условиях кипения кристаллизующейся дисперсной системы с подкачиванием раствора рост единичных кристаллов происходит за счет рекристаллизации и кинетика роста единичных кристаллов определяется кинетикой рекристаллизации. [17]
 |
Зависимость скорости роста кристалла v и числа центров кристаллизации п от переохлаждения А ( кривые Таммана. [18] |
При больших переохлаждениях, чрезвычайно неблагоприятных для кристаллизации, образуется стеклообразное тело. Для роста совершенных единичных кристаллов необходимы по возможности малые переохлаждения, когда число центров невелико. [19]
При массовой кристаллизации получается большое количество кристаллов, при этом твердая фаза содержит частицы различного размера. В отличие от условий зарождения и роста единичного кристалла, которые обычно сохраняются постоянными, массовая кристаллизация характеризуется двумя существенными обстоятельствами: внешние условия ( в основном это пересыщение раствора) зарождения и роста кристаллов в непрерывных процессах могут быть неизменными во времени, но их значения сами являются функциями процесса. Так, величина пересыщения раствора устанавливается в зависимости от значений расхода и концентрации подаваемого раствора и от интенсивности зарождения и роста кристаллической фазы. Второй характерной особенностью процессов массовой кристаллизации является принципиально полидисперсный состав получаемого кристаллического продукта. Даже в периодическом процессе кристаллы в каждый момент будут иметь неодинаковые размеры, поскольку параллельно с увеличением размеров кристаллов из первоначально образовавшихся зародышей происходит непрерывное появление новых зародышей. Время кристаллизации на молодых зародышах меньше, чем на старых, поэтому размер кристаллов, выросших из молодых зародышей, будет меньше размера кристаллов, время роста которых равно или несколько меньше общей продолжительности процесса периодической кристаллизации. [20]
Согласно нашему предположению, при массовой кристаллизации веществ из растворов необходимо четко различать два процесса: массовое выкристаллизовывание вещества из раствора в виде мельчайших частиц предельной, коллоидной дисперсности и рекристаллизация этих частиц. Кинетика первого процесса полностью определяется массовой скоростью кристаллизации, которая, как показано выше, является функцией теплообмена. Рост единичных кристаллов происходит за счет рекристаллизации, и кинетика процесса определяется интенсивностью рекристаллизации. [21]
 |
Зависимость скорости роста кристалла и и числа центров кристаллизации п от. переохлаждения Д / ( кривые Таммана. [22] |
По мере увеличения переохлаждения обе величины растут, достигают максимума и уменьшаются, приближаясь к нулю. При больших переохлаждениях, чрезвычайно неблагоприятных для кристаллизации, образуется стеклообразное тело. Для роста совершенных единичных кристаллов необходимы по возможности малые переохлаждения, когда число центров невелико. [23]
Заметим, что полученные в такой работе данные представляют уже самостоятельный научный интерес. Наиболее удобной для целей изучения роста единичных кристаллов на затравке является кювета в термостатированном кожухе, изображенная на рис. 2 - 1, а. Кюветы рассчитаны обычно на объем раствора 10 - 50 мл. Изготовление кюветы с плоскопараллельными передней и задней стенками, как на рис. 2 - 1, а, не обязательно, она может быть заменена круглым баллончиком. [24]
Как показали многочисленные рентгеновские исследования строения осадков цинка и серебра, введение но верхностно активных веществ в электролит приводит к возникновению текстурированных осадков в отличие от осадков, полученных из растворов без добавок. Появление четко выраженной текстуры свидетельствует о достаточно резкой разнице в скоростях роста граней кристаллов, вызываемой введением поверхностно активных веществ в раствор. Последнее согласуется с данными непосредственного наблюдения за ростом единичных кристаллов из чистых растворов с добавкой поверхностно активных веществ. [25]
Количества выкристаллизовавшегося сахара и поступившего в аппарат с подкачиваемым раствором равны. При этом сахар выкристаллизовывается в виде мельчайших кристаллов предельной, коллоидной дисперсности, которые тут же вступают в процесс рекристаллизации. Таким образом, с момента заводки кристаллов и до конца варки в аппарате происходят два процесса - выкристал-лизовывание сахара в виде мельчайших частиц и их рекристаллизация. Следовательно, существуют и две скорости кристаллизации - скорость массовой кристаллизации сахара из подкачиваемого раствора и скорость рекристаллизации. Как показано нами [.46], скорость массовой кристаллизации определяется интенсивностью теплообмена. Поэтому кинетика уваривания сахарных суспензий определяется кинетикой теплообмена, а кинетика роста единичных кристаллов - кинетикой рекристаллизации. Изотермически-изо-гидрические условия варки обеспечивают получение кристаллов правильной формы, без агрегатов. [26]
Страницы: 1 2