Рост - микрокристалл
Cтраница 1
Рост микрокристаллов вначале происходит раздельно в пределах зоны, в которой образовался зародыш, и между кристаллами имеются дворики, где осаждение металла не происходит. Поэтому первичные слои осажденного металла являются довольно пористыми. Затем кристаллы сливаются, образуя границы зерен, на которых могут концентрироваться примеси из электролита, а также молекулы и ионы, содержащиеся в растворе. Обычно при осаждении металла на чужеродную основу образовавшиеся кристаллы ориентированы хаотично и их рост в вертикальном и горизонтальном направлениях идет с различными скоростями. Однако, в связи с тем, что сами кристаллы растут неравномерно, причем большие из них по размерам растут с большей скоростью, в момент слияния кристаллы малых размеров ( не достигшие определенного критического размера) прекращают свой рост. В результате при увеличении толщины осадка число растущих зерен уменьшается и возрастает их размер. [1]
При росте микрокристаллов, как это имеет место в микрокристаллоскопии, концентрация пересыщенного раствора С практически остается постоянной, иными словами, при кристаллизации малого количества вещества значение пересыщения практически остается постоянным, скорость роста кристалла определяется исключительно скоростью притока вещества в граничный слой, а не скоростью отложения частиц на гранях кристалла. [2]
 |
Схема фосфатирования оборотной воды. [3] |
Изолируя зародыши, пленка препятствует росту микрокристаллов. Следовательно, действие реагента сводится к торможению роста кристаллов карбоната кальция, повышая их растворимость. [4]
Считают, что до температуры 600 рост микрокристаллов происходит медленно; они увеличиваются при этом лишь в два-три раза. При температуре 750 рост микрокристаллов заканчивается. [5]
 |
Влияние ПЭИ на рост микрокристаллов хлористого серебра в процессе физического созревания. [6] |
Поливинилпирролидон средней и низкой вязкости дает рост микрокристаллов галогенидов серебра, в физическом созревании совершенно аналогичные как и при защите желатиной. [7]
Во время физического созревания желатиновых галоидосереб-ряных эмульсий происходит рост микрокристаллов, приводящий к увеличению мутности. Поэтому ход физического созревания может быть прослежен при помощи нефелометрических измерений. [8]
Понятно, что вероятность эффективного поглощения уменьшается с ростом микрокристаллов. В согласии с этим фактором найдено, что относительная эффективность химической сенсибилизации уменьшается с ростом микрокристаллов. Возможно даже, что существует критический оптимальный размер микрокристаллов, за которым последние становятся фотографически инертными вследствие уменьшенной удельной поверхности и, следовательно, уменьшения химической сенсибилизации. [9]
При выборе условий осаждения следует учитывать их влияние как на рост микрокристаллов, образующих ядра первичных части ц, так и на процесс коагуляции с образованием более крупных агрегатов. С этих позиций можно объяснить, например, весьма резкое влияние состав а среды, из которой осаждается ZnS, на дисперсность и химический состав осадка. В соответствии с известными из коллоидной химии закономерностями [9] замена двухвалентного аниона 5Сч2 - на одновалентный С1 - приводит к увеличению агрегативной устойчивости системы, ибо растет доля противо-ионов в диффузном слое, а потому и заряд первичной частицы. Кроме того, хлор, по-видимому, обрывает рост ступеней кристаллического ядра первичных коллоидных частиц. В результате образуется рыхлый, плохо отстаивающийся осадок. [10]
Первые повышают стойкость заданной макроструктуры активной фазы, в частности препятствуют росту микрокристаллов при повышенных температурах. Нетрудно припомнить, что это одна из функций носителей. [11]
Важнейшим процессом в углях, происходящим при их нагревании и влияющим на сорбционные свойства их, является графитизация - рост микрокристаллов графита и упорядочение их расположения. Графитизация сопровождается уменьшением площади поверхности и количества на ней активных центров, что нежелательно. Дальнейшая графитизация связана в основном с перемещением мелких графитовых кристаллов в промежутках между большими, неподвижными при данной температуре. Но движение кристаллов в углях затрудняется наличием прочных перекрещивающихся пространственных связей, возникающих вследствие ранней полимеризации исходного материала. [12]
Если ведущим механизмом АЭ является переходное излучение звука, следует ожидать для амплитуды А импульса АЭ зависимостей: А Рг - при росте микрокристалла в упругом поле штампа; A vp ls - под сосредоточенной силой. [13]
Кроме того, если условием для инициирования реакции сенсибилизации золотом является слабая внутренняя восстановительная сенсибилизация, обусловленная весьма малым количеством серебра, образовавшимся при росте микрокристалла, то необходимо также учитывать функцию этого серебра как внутренней ловушки электронов. Возможно, что экспериментально доказанное существование внутренних ловушек обусловлено наличием такого восстановленного серебра в эмульсионном микрокристалле. [14]
Можно предполагать, что ортофосфаты, по аналогии с гексаметафосфатом натрия, образуют на поверхности микрокристаллов адсорбционные соединения, - благодаря чему в известной мере предотвращается рост микрокристаллов СаСО3 и их отложение на поверхности труб и сооружений. [15]
Страницы: 1 2 3