Cтраница 1
Рост пленки должен рассчитываться по макроскопической теории, так как линейные размеры поверхности существенно превышают длину свободного пробега молекул окружающего пара. [1]
Рост пленок при конденсации из паровой фазы включает несколько элементарных процессов: адсорбцию, поверхностную диффузию, флуктуационное образование зародышей и их рост. Как отмечалось в подразд. [3]
Рост пленки подчиняется параболическому закону. [4]
Рост пленки при химическом осаждении из паровой фазы представляет собой процесс послойной конденсации атомов или молекул. Во многих чертах он аналогичен процессу роста пленки при использовании физических методов осаждения из паровой фазы, таких, как испарение или ионное распыление, поскольку в каждом из этих случаев пленка формируется из паровой фазы. Существенное различие между процессами химического и физического осаждения из паровой фазы состоит в том, что при химическом осаждении пленка образуется в результате гетерогенной химической реакции, когда не требуется, чтобы средняя длина свободного пробега молекул газа была бы более высокой или сравнимой с размерами камеры для осаждения. [5]
Рост пленки на металле в пассивирующих растворах идет до определенной толщины. В стационарных условиях скорость образования пленки будет равна скорости ее растворения. При наличии побочных процессов, например при выделении кислорода, следует учитывать лишь остаточный ток, эквивалентный скорости растворения металла в пассивном состоянии. [6]
Рост пленки во времени подчиняется параболической зависимости. [7]
Рост пленки подчиняется параболическому закону. [8]
Рост пленки происходит в соответствии с изменением напряжения тока по кривой фиг. Для сплава АВ участок б кривой очень короткий, напряжение достигает при этом 120 в за 50 - 55 мин. Бывают случаи, когда напряжение так и не достигает 120 0 и тогда процесс анодирования ведут по времени, заканчивая его по истечении 90 мин. Как уже упоминалось выше, резкое повышение напряжения на отрезке в объясняется заполнением пор пленки газом или паром, оказывающими сильное сопротивление прохождению тока. При достижении критического напряжения возникает искровой разряд, пробивающий пленку. [9]
![]() |
Схема опыта Вагнера по исследованию взаимодействия серы. [10] |
Рост пленок на поверхности твердого тела в зависимости от их толщины подчиняется различным законам. [11]
![]() |
Схема образования оксидной пленки на алюминии. [12] |
Рост пленки происходит на внешней пористой части ее, при этом барьерный слой постепенно обновляется и как бы перемещается в глубь металла. [13]
Рост пленки возможен только в том случае, когда скорость первого процесса превышает скорость второго. Если же в процессе анодирования наступает момент, когда скорость первого процесса равна или ниже скорости второго процесса, то рост пленки прекращается, а образовавшаяся пленка подвергается повышенному растворению нагретым за счет джоулева тепла электролитом. [14]
![]() |
Схема образования оксид-ной пленки на алюминии. [15] |