Рост - пленка
Cтраница 4
Скорость роста пленок определяется скоростью диффузии атомов среды и атомов металла. В случае образования пленок, не обладающих защитными свойствами ( например, щелочные, щелочноземельные металлы), справедлив линейный закон, а для металлов и сплавов с защитными пленками - параболический или логарифмический. [46]
Скорость роста пленок SiC2 на кремнии составляет ( 6 - 40) 10 - 9 м / мин при частоте генератора 2 5 109 Гц и температуре подложки 300 С. Важными факторами для всех методов анодирования являются тщательная подготовка поверхности образца, подвод электрических контактов к нему и чистота системы. [47]
Скорость роста пленки составляет от десятых долей до нескольких микрометров в минуту. [48]
Механизм роста пленки SiO2, по-видимому, заключается в полимеризации свободных радикалов типа Si-О, образуемых при столкновении ионизированных молекул газа-носителя с органической молекулой и адсорбируются поверхностью подложки. [49]
Скорость роста пленки составляет от десятых долей до нескольких микрометров в минуту. [50]
Скорость роста пленки изменяется с изменением кристаллической ориентации зерен железа. [51]
 |
Влияние температуры на скорость газовой коррозии железа.| Влияние парциального давления кислорода на скорость газовой коррозии. [52] |
Закон роста пленок на меди при изменении температуры также меняется. [53]
 |
Изменение концентрации носителей ( t 24 С в GaAs в зависимости от потока легирующего элемента при двух температурах дополнительного источника с дпэти. [54] |
Условия роста пленок были указаны в табл. 4.6. Без легирования этим методом пленки GaAs имели концентрацию доноров ( 1 - 2) - 1016 см-3. [55]
Зона роста пленки зависит от направления и скорости диффузии реагирующих молекул и атомов агрессивной среды и атомов металла. При диффузии атомов металла сквозь пленку наружу зоной роста будет внешняя поверхность пленки, и, наоборот, зоной роста пленки будет граница между металлом и пленкой, если сквозь пленку диффундируют элементы агрессивной среды, главным образом кислород. Если скорости встречной диффузии металла и кислорода соизмеримы, рост пленки будет происходить в толще самой пленки. Для большинства случаев окисления металлов основным направлением диффузии считается движение автомов металла через пленку наружу и в меньшей мере - диффузия кислорода в обратном направлении. [56]
Законы роста пленки хорошо иллюстрируются кривыми падения тока на свинцовом аноде в серной кислоте ( аккумуляторной концентрации) Мюллера и Маха, воспроизведенными на фиг. Кривая, обозначенная /, изо - в зависимости от време-бражает ток в различное время; нужно отметить, что период быстрого падения длится только долю секунды, и необходим, конечно, специальный осциллограф, чтобы отметить подобные величины. [57]
Кинетика роста пленок зависит от стадий их формирования. На начальной стадии окисления образование первых слоев окисла происходит таким образом, чтобы решетка оксида приблизилась по своим параметрам к решетке исходного металла. На чистой поверхности металла образование первичной оксидной пленки происходит так, чтобы решетка оксида приближалась по своим параметрам к решетке исходного металла. Внешняя часть слоя заряжена отрицательно, а пограничный с металлом слой положительно. [58]
Закон роста пленки в этом случае зависит от скорости наиболее медленной стадии. Для тонких пленок скорость окисления тормозит, как правило, перенос ионов в электрическом поле пленки, чему соответствует и логарифмический закон роста толщины пленки во времени. При диффузионном контроле и подводе окислителя к фронту реакции характерен параболический закон роста толщины пленки. [59]
Исследованию роста пленок теллурида свинца на гранях кристаллов щелочно-галоидных солей, слюде и изотропных подложках посвящено значительное число работ, связанных как с изучением принципиальных вопросов конденсации из паровой фазы так и с задачами приготовления пленок для практических целей. Эти результаты далее будут кратко освещены. Большая часть исследований роста пленок теллурида свинца от-лосится к термическому напылению в открытом вакууме. [60]
Страницы: 1 2 3 4