Cтраница 2
Изменение абсолютных значений Q, и QK с ростом лучистой поверхности нагрева противоположное: Q. [17]
Наиболее вероятные положения для размещения новой частицы в начале роста поверхности - положение полукристалла ( позиция /, см. рис. 3.6) и посередине поверхности ( позиция 4), наименее вероятное - в углу. Здесь наблюдается ситуация, противоположная случаю ионных кристаллов. Построение одной начатой плоскости происходит быстро, с энергетической точки зрения труднее начать следующую поверхность. [18]
Утилизация тепла воды от конденсаторов холодильных машин приводит к росту поверхностей подогревателей, но позволяет отказаться от снабжения теплом от котельной или ТЭЦ. [19]
Увеличение плотности орошения ( расхода абсорбента) приводит к росту поверхности контакта фаз и, как это следует из (V.11), к увеличению коэффициента массшередачи Kv - Поскольку расход абсорбента ие влияет на остальные показатели в правой части уравнения (V.9), степень - извлечения компонента также - при этом увеличивается. Если предположить, что при увеличении плотности орошения дисперсность жидкости не меняется, можно - было бы ожидать прямой пропорциональности между ростом L0p и / Су. Из этого, по существу, и исходят некоторые авторы [1; 12] при анализе процесса. Фактически а промышленных установках этого не наблюдается. Дело в том, что с увеличением количества капель жидкости в колонне растет вероятность их столкновения и коа-лесценции. Джонстон и Вильяме [2] оценивали теоретически иоалесценцию капель в допущении, что все столкновения являются еупругими, и без учета капель, изменивших направление своего движения. [20]
Удельный коэффициент снижения температуры на установке НТС увеличивается с ростом поверхности теплообмена. Если при поверхности охлаждения в 40 м2 удельный коэффициент снижения температуры газа составляет 0 75 С на 1 am, то при 80 м2 он достигает 0 96 С. [21]
Увеличение / об / Лоб приводит к уменьшению расхода меди вследствие роста поверхности охлаждения катушки и улучшения теплопередачи. Кроме того, это приводит к увеличению времени срабатывания электромагнита постоянного тока. [22]
Уменьшение КПД за счет утечек тепла снижает Н0уя, что ведет к росту поверхности и массы конструкции ТЭГ при заданной его мощности. [23]
Таким образом, конечность скорости рекомбинации N0 обусловливает некоторое снижение тепла регенерации и рост поверхности теплообмена, что приводит к ухудшению весогабаритных характеристик регенератора. [24]
Полученные данные показывают, что скорости восстановления окисной меди резко возрастает как с ростом поверхности раздела фаз, так и с увеличением интенсивности перемешивания, что подтверждает предположения, высказанные ранее. [25]
![]() |
Профиль волнистой поверхности.| Теплоотдача вертикальной трубы с профилированной поверхностью.| Сравнение теплоотдачи при конденсации на горизонтальной трубе с гладкой и волнистой поверхностью. [26] |
При размерах ребер порядка одного миллиметра помимо обычного эффекта увеличения теплового потока за счет роста поверхности конденсации возникает возможность увеличения коэффициентов теплоотдачи, обусловленная действием сил поверхностного натяжения. [27]
У состарившихся препаратов измельчение вызывает рост скорости реакций, но в меньшей степени, чем рост поверхности - Объясняется это наличием у кристаллов внутренней поверхности микротрещины, блоки), которая может значительно превышать внешнюю. Свежеприготовленные кристаллы имеют особенно много дефектов в кристаллической решетке, исчезающих при рекристаллизации в процессе старения. [28]
По модели Б перенос иона из обкладки двойного слоя со стороны раствора осуществляется непосредственно на участок роста поверхности. [29]
Это дает основание полагать, что при сохранении постоянной силы тока действительная анодная плотность тока по мере роста поверхности будет уменьшаться, а это должно вызвать сдвиг анодного потенциала в отрицательную сторону. Причем если площадь анода достигает более или менее стабильного значения, соответствующего какому-то состоянию сетки каналов, то изменение потенциала анода должно. [30]