Рост - поверхность
Cтраница 4
Согласно ей, в структурировании можно выделить три стадии: образование малых, преимущественно линейных кластеров и их разветвление ( рис. 50); образование циклов и начало формирования двумерной поверхности; рост поверхности и ее замыкание в фуллерено-вые структуры. [46]
Согласно ей, в структурировании можно выделить три стадии: образование малых, преимущественно линейных кластеров и их разветвление ( рис. 5.27); образование циклов и начало формирования двумерной поверхности; рост поверхности и ее замыкание в фуллереновые структуры. [47]
 |
Влияние веса добавленного вещества ( LMS, 5A на ход полимеризации этилена. [48] |
Если предположить, что скорость полимеризации в газовой фазе незначительна по сравнению со скоростью полимеризации на поверхности, что при учете полученных результатов кажется вполне возможным, то скорость реакции должна увеличиваться с ростом поверхности. [49]
Для правильного выбора температуры отходящих дымовых газов необходим технико-экономический расчет; в нем следует сопоставить экономию затрат, связанную с уменьшением расхода топлива при понижении температуры отходящих газов, с дополнительными затратами, связанными с увеличением стоимости печи вследствие роста поверхности конвекционных труб при понижении температуры дымовых газов. [50]
Для правильного выбора температуры отходящих дымовых газов требуется технико-экономический расчет; он должен сопоставить сокращение затрат, связанных с уменьшением расхода топлива при понижении температуры отходящих газов, с затратами, связанными с увеличением стоимости печи в связи с ростом поверхности конвекционных труб при понижении температуры дымовых газов. [51]
 |
Схема развития ступеней. [52] |
В условиях, когда давление пара над растущим кристаллом приближается к равновесному, радиус критического центра кристаллизации ( так же как и расстояние между витками спирали или витками последовательных петель) становится очень большим [ см. уравнение ( 117) ]; поэтому образующиеся конусы или пирамиды становятся настолько пологими, что процесс роста поверхности можно считать равномерным. [53]
 |
Теоретические данные скорости роста. [54] |
Скоростью роста грани называют скорость ее перемещения параллельно самой себе. Рост поверхностей произвольных ориентации происходит практически при любых малых пересыщениях. [55]
 |
Кинетические кривые реакции гидрирования карбида железа водородом Fe2C 2Н2 2Fe CH4 при 300 С ( цифры на кривых - давление водорода ( по данным В. Д. Стыценко, А. Я. Розовского. [56] |
С появлением ядер возникает поверхность раздела твердых фаз. Рост поверхности раздела продолжается до тех пор, пока растущие ядра не соприкасаются и не начнут перекрываться друг с другом. Скорость реакции проходит через максимум, следуя за изменениями поверхности раздела твердых фаз. Завершаются эти процессы образованием сплошного слоя твердого продукта. [57]
Страницы: 1 2 3 4