Cтраница 1
Рост субзерен далее осуществляется в основном за счет разрушения более слабых субграниц и движения освободившихся дислокаций к другим субграницам. Скорость возврата может быть увеличена наложением небольшого напряжения. Дальнейшее развитие возврата может быть прекращено конкурирующим процессом рекристаллизации. [1]
Рост субзерен предполагает постепенное развитие больше-угловых границ зерен в / процессе отжига в результате миграции границ субзерен. Объяснение субзеренной коалесценщш предполагает распад некоторой субзеренной границы. Таким образом, большое субзерно постепенно развивается из нескольких маленьких субзерен, границы которых являются уже частично болышеугловыми границами. При помощи электронного микроскопа были получены данные, подтверждающие возможность обоих механизмов. [2]
Рост субзерен при полигонизации, связанный с увеличением избытка дислокаций одного знака в субграницах, как уже отмечалось, приводит к увеличению углов разориентировки соседних субзерен. [3]
![]() |
Монокристалл сапфира, изогнутый при 1800 С и отожженный при 2000 С в течение 10 мин. Фотография в проходящем поляризованном свете ( Крон-берг. [4] |
Процесс роста субзерен путем слияния субграниц приводит к тому, что угол разориентировки соседних субзерен возрастает, а энергия границы, приходящаяся на одну дислокацию, уменьшается, что и обусловливает рост субзерен. [5]
Второй этап - рост субзерен и увеличение углов ра-зориентировки относительно окружающей матрицы до формирования большеугловых границ. Момент превращения границ в большеугловые означает завершение формирования центра рекристаллизации. [6]
Если одновременно происходят образование и рост субзерен, то этот процесс, будет для простоты называться ниже укрупнением субзерен. [7]
![]() |
Влияние температуры отжига в течение 1 ч на твердость вольфрама. [8] |
В соответствии с этим соотношением рост субзерен при поли-гонизации приводит к снижению предела текучести при дорекрис-таллизационном отжиге. [9]
В нем происходит возврат, статическая полигонизация и рост субзерен; при нагреве выше этого интервала рекристаллизация аустенита возвращает комплекс свойств к исходному. [11]
Процесс возврата, который может происходить до первичной рекристаллизации или одновременно с ней, включает образование и рост субзерен. Следовательно, процесс рекристаллизации ( по определению Бека [6]) состоит из: 1) первичной рекристаллизации, т.е. образования новых зерен и их роста в деформированной матрице до тех пор, пока все новые зерна не придут в контакт друг с другом; 2) роста зерен после завершения первичной рекристаллизации. Кроме того, может происходить третичная рекристаллизация, которая, по определению Дана и Уолтера [4], включает вызванный разницей поверхностных энергий рост небольших зерен за счет более крупных и миграцию границ зерен под действием химической движущей силы. [12]
Помимо движения одиночных дислокаций, полигони-зация включает на стадии формирования субграниц миграцию дислокационных групп и на стадии роста субзерен - миграцию малоугловых дислокационных границ. Детали этих процессов еще мало изучены. Сведений о влиянии степени деформации на процессы полигонизации в литературе недостаточно. [13]
Так как полигонизация состоит в постепенном формировании субзерен путем образования дислокационных стенок из отдельных дислокаций и в росте субзерен или же ( при ячеистой структуре в деформированном металле) в развитии имеющихся ячеек и постепенном превращении их в субзерна, то температура начала полигонизации не является четко определенной физической константой, такой, например, как точка плавления. [14]
Если углы разориентировки ( Аф) от субзерна к субзерну закономерно нарастают ( рис. 179), то при росте субзерен миграцией границ их разориентировка относительно матрицы, за счет которой происходит рост, будет возрастать и в момент превращения границы в больше-угловую субзерно превращается в зародыш истинной первичной рекристаллизации. [15]