Cтраница 1
Рост температуры облучения до 400 - 500 С снижает рассматриваемый эффект, а экстремум вырождается. [1]
Таким образом, с ростом температуры облучения до 400 - 450 С наблюдается резкое снижение скорости распухания образцов в направлении перпендикулярном к оси продавливания. Размерные изменения изотропных и анизотропных марок графита в этом температурном интервале для направления, параллельного оси продавливания, имеют различный знак. В интервале 400 - 800 С температура облучения не так резко влияет на скорость сжатия графита. Выше 800 С сжатие резко увеличивается. [3]
![]() |
Зависимость относительного изменения высоты областей когерентного рассеяния Lc от флю-енса при различной температуре, указанной на графике. [4] |
Абсолютная величина Да / а с ростом температуры облучения убывает медленнее, чем Дс / с. [5]
Из этих данных также следует, что с ростом температуры облучения до 400 - 500 С относительное измене - ние высоты кристаллитов резко снижается. При температуре выше 500 С у обладающих низкой степенью совершенства кристаллической структуры пироуглеродов изменение АХС / ХС значительно выше по сравнению с совершенствованными графитами. [6]
![]() |
Зависимость запасенной энергии Н от температуры облучения. [7] |
Скорость накопления графитом запасенной энергии быстро снижается с ростом температуры облучения. Так, уровень запасенной энергии для облучения при 750 С составляет всего лишь 9 кал / г. При этом ее выделение происходит при температуре выше 1000 С, что не представляет опасности для эксплуатации кладок до указанной температуры. [8]
Из таблицы видно уменьшение эффекта радиационного упрочнения с ростом температуры облучения. Различие прироста как отдельных свойств по материалу, так и для различных исследованных материалов незначительно. [9]
При облучении ионами Аг4 эффект подавления распухания в композициях уменьшается с ростом температуры облучения. Отметим, что распухание пленок и компо -; зиций возрастает в случае облучения газовыми ионами. [11]
При воздействии нейтронов и тяжелых заряженных частиц эффект может быть больше, чем при обработке V -лучами или быстрыми электронами. С ростом температуры облучения и реакции влияние облучения на каталитическую активность уменьшается. Большое значение имеют доза облучения и энергия излучения. [12]
При воздействии нейтронов и тяжелых заряженных частиц эффект может быть больше, чем при обработке Т - лучами или быстрыми электронами. С ростом температуры облучения и реакции влияние облучения на каталитическую активность уменьшается. Большое значение имеют доза облучения и энергия излучения. [13]
Установлено, что выход нитрита заметно увеличивается с ростом температуры облучения в интервале от 30 до 150, причем для таких чувствительных к температуре нитратов характерно большее увеличение выхода нитрита при переходе от у - к а-излучению. [14]
Установлено, что выход нитрита заметно увеличивается с ростом температуры облучения в интервале от 30 до 150, причем для таких чувствительных к температуре нитратов характерно большее увеличение выхода нитрита при переходе от у - к а-излучению. [15]