Рост - температура - облучение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Почему неправильный номер никогда не бывает занят? Законы Мерфи (еще...)

Рост - температура - облучение

Cтраница 1


Рост температуры облучения до 400 - 500 С снижает рассматриваемый эффект, а экстремум вырождается.  [1]

2 Зависимость от температуры облучения скорости относительного радиационного изменения размеров ( параллельно и перпендикулярно относительно оси формования графита различных марок, отличающихся анизотропией. [2]

Таким образом, с ростом температуры облучения до 400 - 450 С наблюдается резкое снижение скорости распухания образцов в направлении перпендикулярном к оси продавливания. Размерные изменения изотропных и анизотропных марок графита в этом температурном интервале для направления, параллельного оси продавливания, имеют различный знак. В интервале 400 - 800 С температура облучения не так резко влияет на скорость сжатия графита. Выше 800 С сжатие резко увеличивается.  [3]

4 Зависимость относительного изменения высоты областей когерентного рассеяния Lc от флю-енса при различной температуре, указанной на графике. [4]

Абсолютная величина Да / а с ростом температуры облучения убывает медленнее, чем Дс / с.  [5]

Из этих данных также следует, что с ростом температуры облучения до 400 - 500 С относительное измене - ние высоты кристаллитов резко снижается. При температуре выше 500 С у обладающих низкой степенью совершенства кристаллической структуры пироуглеродов изменение АХС / ХС значительно выше по сравнению с совершенствованными графитами.  [6]

7 Зависимость запасенной энергии Н от температуры облучения. [7]

Скорость накопления графитом запасенной энергии быстро снижается с ростом температуры облучения. Так, уровень запасенной энергии для облучения при 750 С составляет всего лишь 9 кал / г. При этом ее выделение происходит при температуре выше 1000 С, что не представляет опасности для эксплуатации кладок до указанной температуры.  [8]

Из таблицы видно уменьшение эффекта радиационного упрочнения с ростом температуры облучения. Различие прироста как отдельных свойств по материалу, так и для различных исследованных материалов незначительно.  [9]

10 Температурная зависимость распухания композиций Ni - 2 % SiO ( 1 2 и пленок никеля ( 3, 4, облученных ионами Ni4 ( 1 3 и Аг ( 2, 4.| Влияние условий облучения пленок и композиций на величину распухания Д VIV и средний диаметр пор dn. [10]

При облучении ионами Аг4 эффект подавления распухания в композициях уменьшается с ростом температуры облучения. Отметим, что распухание пленок и компо -; зиций возрастает в случае облучения газовыми ионами.  [11]

При воздействии нейтронов и тяжелых заряженных частиц эффект может быть больше, чем при обработке V -лучами или быстрыми электронами. С ростом температуры облучения и реакции влияние облучения на каталитическую активность уменьшается. Большое значение имеют доза облучения и энергия излучения.  [12]

При воздействии нейтронов и тяжелых заряженных частиц эффект может быть больше, чем при обработке Т - лучами или быстрыми электронами. С ростом температуры облучения и реакции влияние облучения на каталитическую активность уменьшается. Большое значение имеют доза облучения и энергия излучения.  [13]

Установлено, что выход нитрита заметно увеличивается с ростом температуры облучения в интервале от 30 до 150, причем для таких чувствительных к температуре нитратов характерно большее увеличение выхода нитрита при переходе от у - к а-излучению.  [14]

Установлено, что выход нитрита заметно увеличивается с ростом температуры облучения в интервале от 30 до 150, причем для таких чувствительных к температуре нитратов характерно большее увеличение выхода нитрита при переходе от у - к а-излучению.  [15]



Страницы:      1    2