Рост - ток - коллектор
Cтраница 1
Рост тока коллектора с увеличением напряжения UK определяется уменьшением ширины базы. Коэффициент переноса х, а следовательно, и коэффициент передачи тока эмиттера а транзистора растет. Коэффициент передачи тока базы в схеме с общим эмиттером р а / ( 1-а) растет быстрее коэффициента а. Поэтому при постоянном токе базы ток коллектора увеличивается сильнее, чем в схеме с общей базой. [1]
Это напряжение увеличивается с ростом тока коллектора. В маломощных дрейфовых транзисторах сопротивление гкк может составлять десятки ом и второй член (2.166) вносит заметный вклад в напряжение насыщения, особенно при повышенных токах коллектора. [2]
Рассасыванию носителей способствует также ток намагничивания выходного трансформатора, который приводит к росту тока коллектора, а следовательно, увеличению потока носителей, покидающих базу. [3]
В схеме Ройера ( рис. 9 - 5, а) транзисторы переключаются под действием роста тока коллектора вследствие увеличения намагничивающего тока трансформатора в момент насыщения его сердечника. В целях получения относительно стабильной частоты выходного напряжения сердечник трансформатора должен быть выполнен из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, что увеличивает стоимость устройства и иногда приводит к повышенным потерям в сердечнике, поскольку рабочая индукция будет равна индукции насыщения. [4]
Инжекция неосновных носителей тока уменьшает сопротивление нитевидного образца между эмиттером и коллектором и тем самым вызывает рост тока коллектора. Схема питания нитевидного транзистора также показана на фиг. Пусть Fc - напряжение на коллекторе, a Ve - потенциал некоторой точки нитевидного образца, расположенной вблизи эмиттера, причем оба потенциала отсчитываются по отношению к потенциалу базы. Допустим далее, что потенциал Vc настолько велик, что все дырки переносятся полем к коллектору и не диффундируют в заметном количестве к базовому контакту ( см. гл. [5]
Дырки, диффундирующие к этому барьеру через область rt - типа, скатываются в область / ьтипа и обусловливают рост тока коллектора. [6]
Если же на эмиттер подать постоянное напряжение в прямом направлении и увеличивать обратное напряжение на коллекторе, то вначале это приводит к росту тока коллектора, как и в обычном р-п-р-транзисторе. При дальнейшем увеличении VK расширение области объемного заряда приводит к уменьшению ширины канала. По этой причине ток эмиттер - база уменьшается, что приводит к соответствующему уменьшению / к. [7]
При увеличении положительного базового тока ( вытекает из базы) сопротивление между эмиттером и коллектором уменьшается, рабочая точка перемещается по линии нагрузки АД, при этом ток нагрузки коллектора увеличивается. Рост тока коллектора ограничен сопротивлением нагрузки: IK. UnmlRH, поэтому при определенном токе базы наступает насыщение транзистора и дальнейшее увеличение тока базы не дает приращения тока нагрузки. [8]
 |
Схема ОЭ, иллюстрирующая работу транзистора в импульсном ( ключевом режиме. [9] |
K и и.п. б - Транзистор переходит р режим двойной инжекции, что объясняется следующим образом. С ростом тока коллектора сопротивление коллекторного перехода уменьшается. [10]
Максимальная амплитуда тока коллектора определяется из следующих соображений. С ростом тока коллектора статические характеристики, снятые при одинаковых приращениях входного тока, начинают сближаться, что приводит к резкому возрастанию нелинейных искажений. [11]
С ростом тока коллектора силовая крутизна увеличивается Выход данного параметра на пологий участок при относительно больших коллекторных токах объясняется эффектом насыщения скорости движения носителей в канале МДП-транзистора. Дальнейший рост тока нагрузки приводит к снижению коэффициента усиления IGBT, однако это достигается, как правило, за пределами рабочего тока нагрузки и наблюдается в режимах токовой перегрузки, что в целом является положительным фактором Увеличение быстродействия IGBT достигается уменьшением времени жизни носителей. При этом снижается коэффициент передачи тока р-п-р-структуры, а на характеристике S ( / c) для высокочастотных IGBT выход на пологий участок наблюдается при более низких токах нагрузки. [12]
 |
Зависимость падений напряжений в триоде от тока коллектора.| Зависимость падении напряжений в триоде от тока базы. [13] |
На рис. 8 показана зависимость коэффициента перекрытия и относительного изменения величины падения напряжения эмиттер-коллектор и эмиттер-база от тока коллектора. Из рисунка видно, что с ростом тока коллектора перекрытие проявляется сильнее. [14]
В схеме на рис. 9 - 6, а напряжение с делителя подается на базу транзистора Т, а опорное напряжение на его эмиттер. Если выходное напряжение возрастает, то напряжение база - эмиттер транзистора Т увеличивается и вызывает рост тока коллектора. Изменения тока коллектора транзистора TI и входного тока регулирующего элемента сдвинуты по фазе. Это означает, что при возрастании напряжения на выходе стабилизатора усиленная разность напряжений будет уменьшать входной ток регулирующего элемента, и выходное напряжение скорректируется. [15]
Страницы: 1 2