Рост - ток - коллектор
Cтраница 2
Семейство вольт-амперных характеристик фототранзистора, представляющее собой зависимости тока коллектора / к от напряжения на коллекторе UK, показано на рис. 2.22, в. Увеличение освещенности фототранзистора, вызывающее пропорциональное увеличение фототока, приводит в соответствии с равенством (2.19) к росту тока коллектора. [16]
 |
Характеристика переключения ключа на транзисторе МП42Б. [17] |
Когда ток г становится равным току насыщения / к ( Ек - К. ЛН) / КК, коллекторный переход смещается в прямом направлении, транзистор переходит в область насыщения и рост тока коллектора практически прекращается. [18]
Когда на базу транзистора подают отрицательное напряжение, он отпирается, и в цепи коллектора устанавливается ток / к, величина которого определяется величиной тока в цепи базы. Если ток базы достаточно велик, то транзистор открывается полностью так, что дальнейшее увеличение тока базы не вызывает роста тока коллектора. Это состояние носит название режима насыщения ( точка Б) при нем сопротивление перехода эмиттер - - коллектор резко уменьшается и достигает долей ома, а напряжение источника питания оказывается почти полностью приложенным к нагрузке. [19]
 |
Зависимость статических характеристик полевых транзисторов от температуры. [20] |
Из рис. 4 - 12, а, б следует, что крутизна S с увеличением температуры уменьшается. Уменьшение тока стока с увеличением температуры обусловливает отсутствие в полевых транзисторах вредного явления самоперегрева, характерного для обычных транзисторов, у которых повышение температуры приводит к росту тока коллектора и к еще большему разогреву коллекторного перехода. [21]
При IQ 0 внутреннее сопротивление транзистора очень велико, а ток коллектора очень мал, - такое состояние характеризуется как закрытое. При возрастании тока базы / б сопротивление транзистора уменьшается, что ведет за собой уменьшение напряжения 1 / дых. При достижении тока базы 1б некоторой предельной величины для данного RK и напряжения питания схемы ( например, до 7б5) рост тока коллектора 1К и уменьшение напряжений Ueax прекращается. Ишх близко к нулю. [22]
В отличие от идеализированных выходных ВАХ реальные характеристики транзистора всегда имеют некоторый наклон: ток коллектора возрастает ( хотя и слабо) при увеличении выходного напряжения С / кб. Это определяется эффектом Эрли, сущность которого состоит в том, что при увеличении обратного напряжения на коллекторном / г-и-переходе он расширяется, причем расширение происходит в сторону базы, как более высокоомный слой; при этом ширина базы уменьшается. Уменьшение ширины базы приводит к тому, что большее количество неосновных носителей проходит базу не рекомбинируя в ней и, следовательно, больше носителей заряда попадает в коллектор, вызывая рост тока коллектора. [23]
В начальном состоянии оба транзистора закрыты. При поступлении на базу VT2 положительного импульса он открывается, напряжение на его коллекторе падает. Падение напряжения на RI1 открывает транзистор VT4, на коллекторе которого напряжение возрастает. Наступает лавинообразный процесс роста тока коллекторов обоих транзисторов до их насыщения. В результате происходит лавинообразный процесс закрывания транзисторов, конденсатор С1 разряжается через цепь R4, VD7 и устройство возвращается в исходное состояние. [24]
С этого момента начинается рост не только тока коллектора, но и тока эмиттера. Увеличение тока дырок эмиттера обусловлено понижением потенциального барьера эмиттерного перехода, вследствие появления в области базы нескомпенсированного отрицательного заряда электронов. Последний возникает за счет того, что потенциальный барьер р-л-переходов препятствует свободному уходу электронов из базы. Рост тока дырок через эмит-терный переход и соответственно рост тока коллектора будет продолжаться до тех пор, пока повышение концентрации дырок ( соответственно и электронов) в базе, а значит и скорости рекомбинации, не приведет к тому, что ток базы будет идти только на рекомбинацию. После окончания импульса тока базы / б концентрация дырок в базе падает за счет рекомбинации и ухода в коллектор. Вследствие этого градиенты концентрации дырок на границах эмиттерного и коллекторного переходов уменьшаются, а значит уменьшаются токи эмиттера и коллектора. [25]
 |
Изменение потенциальных барьеров в транзисторе при лавинном умножении в коллекторном переходе и токе базы, равном нулю. [26] |
Если вывод базы отсоединен, то основные носители, накопившиеся в базе, могут исчезнуть только двумя путями - либо уйти в эмиттер, либо ре-комбинировать с носителями, инжектированными эмиттером. Однако транзистор делают так, что вероятность этих событий довольно мала - из эмиттера в базу проходит гораздо больше носителей, чем из базы в эмиттер, и носители, инжектированные в базу, почти не рекомбинируя, доходят до коллектора. Следовательно, на каждый основной носитель, попавший в базу, должно пройти из эмиттера в коллектор много неосновных носителей, прежде чем исчезнет избыточный заряд в базе. Значит, даже небольшое возрастание коллекторного тока из-за лавинного умножения приводит к существенному росту тока эмиттера, что в свою очередь ведет к росту тока коллектора. Этот процесс может привести и к неустойчивой работе транзистора. [27]
Страницы: 1 2