Монокристаллический рост

Cтраница 1

Монокристаллический рост нарушается также из-за скопления на фронте кристаллизации неметаллических включений оксидного характера. [1]

Гораздо чаще встречается дефект, нарушающий монокристаллический рост полупроводников, называемый двойниковой границей, или двойником. Легкость возникновения двойников обусловлена малой величиной энергии, необходимой для создания когерентной границы между двумя областями кристалла, имеющими различную ориентацию. [2]

Аппаратура для выращивания органических кристаллов из водного раствора ( Ниче. [3]

И в том и в другом случае монокристаллический рост лучше всего обеспечивается, если применять затравки, подвешиваемые в растворе. [4]

Картины роста пленки золота ( Ш лан Пэшли. Много работ ПОСВЯ. [5]

В предыдущих разделах приведен теоретический анализ процессов монокристаллического роста и влияния различных факторов на образование пленки. По эпитаксии монокристаллических пленок в работах Пэшли 11 / 2, 4) приведены обширные сведения. [6]

Одной из основных задач при выращивании монокристаллов является обеспечение монокристаллического роста. Эта задача решается разными путями. В одних методах используется готовая монокристаллическая затравка, от которой начинается рост монокристалла, в других используются контейнеры, форма которых способствует возникновению монокристаллического зародыша и дальнейшему его росту. [7]

Однако существует критическая скорость выращивания, превышение которой приводит к прекращению монокристаллического роста и появлению поликристалла. [8]

Однако в большинстве случаев даже на монокристаллической основе происходит образование многих зародышей, из которых путем монокристаллического роста образуется зерно, являющееся одиночным кристаллом и построенное из большого числа слоев роста. [9]

Однако при росте монокристалла в оптимальных условиях некоторые из этих причин не могут полностью нарушить процесс монокристаллического роста. Например, при кристаллизации с большой скоростью загрязненного посторонними включениями расплава последние отодвигаются выпуклым в расплав фронтом кристаллизации на его периферию. На поверхности кристалла образуется поликристаллический слой толщиной 1 - 3 мм - так называемая рубашка, а основная, центральная его часть остается монокристаллической. [10]

Большее число исследований посвящено вопросу выращивания Ge на Ge и на изолирующих подложках, таких как CaF2, кварц, сапфир; особое внимание было обращено на влияние параметров осаждения на температуру эпитаксии при монокристаллическом росте. [11]

Преимущество зонной плавки перед нормальной направленной кристаллизацией - возможность легко осуществлять несколько проходов расплавленной зоны по длине кристалла, и тем самым повышать степень очистки. Монокристаллический рост для случая зонной плавки обычно обеспечивается наличием монокристаллической затравки, однако можно использовать и контейнер с острым углом. [12]

Преимуществом образцов кольцеобразной формы является симметрия тепловых условий перекристаллизации: в отличие от прямых образцов размер расплавленной зоны на кольцеобразном образце не зависит от положения нагревателя. К недостаткам первого способа относится изогнутость образца, препятствующая монокристаллическому росту. Последний проход зоны в обоих методах выравнивания обычно ведут с меньшей скоростью, чем остальные. Многопроходная зонная перекристаллизация необходима лишь в тех случаях, когда коэффициент распределения близок к единице. При 7 ( 0 1 для выравнивания достаточно одного зонного прохода. [13]

Наиболее широко используемым процессом получения монокристаллических пленок является чпитаксия Этот процесс известен уже сто лет и изучается со времени открытия явления электронной дифракции. При этом имеется множество кристаллогрифически эквивалентных ориентационных соотношений, при которых монокристаллического роста не происходит. [14]

Па рис. 6 в таком треугольнике отмечены три области, где нами наблюдался монокристаллический рост сульфида кадмия. Ориентация и морфология слоя CdS в каждой области обусловлена влиянием близко расположенных плотно упакованных плоскостей сапфира. Заштрихованная область, очевидно, мало пригодна для эпитаксии сульфида кадмия. Зеркально гладкие слои были выращены внутри первой и второй областей. На электронограммах на отражении от таких слоев хорошо выявляюгся Кикучп-линин, что говорит об их высоком структурном совершенстве. [15]

Страницы: 1 2