Cтраница 2
В случае введения холодных подложек в предварительно подготовленную паровую фазу пересыщение происходит также на активных центрах с минимальной поверхностной энергией. Однако последующий нагрев подложки вызывает постепенное снижение величины пересыщения, и процесс реиспарения образовавшихся зародышей приводит к планомерной застройке всей поверхности подложки, что и обеспечивает сплошной монокристаллический рост. [16]
Длинные, расположенные на значительном удалении от поверхности расплава нагреватели типа, показанного на рис. 4.53, б, используют для отжига выращенных монокристаллов, снимающего остаточные термические напряжения. Короткие нагреватели кольцеобразной формы, располагаемые на расстоянии 1 - 2 мм от поверхности расплава в газовой атмосфере или во флюсе, смещают область интенсивного охлаждения монокристалла вблизи фронта кристаллизации в сторону более низких температур. Это повышает устойчивость монокристаллического роста и уменьшает плотность дислокаций, вероятность образования двойников и мозаичной структуры. Одновременно с этим стабилизация температуры вблизи области переохлажденного расплава, из которого растет монокристалл ( см. рис. 4.2), стабилизирует его диаметр. [17]
Перечисленные явления наблюдаются, когда компоненты соединения имеют значительное несоответствие из-за давления паров. Среди используемых методов осаждения пленок катодное распыление и испарение взрывом при соблюдении соответствующих требований являются наиболее подходящими. Далее будет проведено краткое рассмотрение монокристаллического роста пленок полупроводниковых соединений: арсенида галлия, карбида кремния, сульфида свинца и сульфида кадмия. [18]
Эпитаксиальный рост монокристаллического слоя при подводе компонента из газовой фазы принципиально не отличается от эпи-таксиального роста при подводе компонентов из жидкой фазы. Вообще, газофазные методы получения монокристаллов в основном применяются для получения тонких монокристаллических слоев. Это обычно связано с малыми скоростями монокристаллического роста и трудностями управления процессом. [19]
Специфическим источником локальных термических напряжений в монокристаллах, выращиваемых методом горизонтальной направленной кристаллизации, является сцепление поверхностей монокристалла в лодочки - так называемый подлип. В месте подлила в монокристалле возникают области с высокой, доходящей до 105 см-2 плотностью дислокаций. Выходя на фронт кристаллизации, они образуют мозаичную структуру, развитие которой нарушает монокристаллический рост. [20]