Дальнейший рост - зародыш
Cтраница 1
Дальнейший рост зародыша следует рассматривать тоже как проблему образования зародышей. Рост неповрежденного кристалла происходит в идеальном случае путем постепенного наслоения атомных плоскостей. Если на атомно-гладкой грани кристалла появляются отдельные атомы, то вероятность того, что они останутся на этой грани, очень мала. Скорее всего быстро произойдет испарение этих атомов. [1]
Дальнейший рост зародышей идет по монослойному механизму. [3]
 |
Схема поднятия вдоль полосы скольжения в сплаве алюминия и меди ( 4 %. [4] |
Дальнейший рост зародыша пор может происходить как в результате притока вакансий к поре, так и вследствие разрядки дислокаций при выходе их на поверхность. Значительная разрых-ленность объемов металла вблизи полос скольжения облегчает диффузию вакансий в образовавшейся поре. [5]
 |
Зависимость скорости образования зародышей ti и скорости роста кристалла у и в переохлажденной среде от температуры. [6] |
Наличие плоских граней у формирующихся кристаллов говорит о том, что дальнейший рост зародышей и мелких кристаллов происходит путем отложения параллельных слоев вещества на зародыше или уже образовавшемся кристалле. [7]
Расчет наиболее вероятных стадий осаждения частиц при росте кристалла недостаточен, чтобы полностью объяснить дальнейший рост жизнеспособного зародыша. Возникает вопрос, каким образом при поступлении атомов из паровой фазы осуществляется повторяющаяся стадия ( осаждение на полукристаллическом положении), которая по сравнению с другими стадиями осаждения появляется гораздо чаще. Этим процессом обеспечивается высокая подвижность попадающих на поверхность кристалла атомов или молекул; благодаря этому становится возможным переход частиц на энергетически выгодные позиции. Экспериментальные доказательства поверхностной диффузии приводятся в главе 14.3, в настоящей главе рассматривается только ее значение для роста кристаллов. [8]
Большинство авторов [62, 63] считает, что действие поверхностно-активных примесей связано с их адсорбцией на поверхности субмикрозародышей, препятствующей дальнейшему росту зародышей. Возможно также, что поверхностно-активные вещества изменяют величину поверхностного натяжения о между раствором и поверхностью зародыша, увеличивая работу образования зародыша. [9]
Он отличается только тем, что молекула все еще продолжает полимеризоваться, когда происходит Зародышеобразование и дальнейший рост кристалла Дальнейший рост зародыша, как и зародыша типа 3 ( см. разд. Препятствия к росту кристалла, возникающие вследствие продолжающегося складывания цепи после за-родышеобразования ( см. разд. В настоящее время этот тип зародышеобразования только изучается, и поэтому все суждения о его механизме являются чисто умозрительными. Поскольку образование зародыша из сложенной цепи связано с увеличением поверхностной свободной энергии вследствие складывания цепи ( см. разд. [10]
 |
Схематическое изображение вторичных зародышей, образованных. [11] |
Второе отличие зародышей из макромолекул от зародышей из маленьких молекул заключается в особой природе их верхних и нижних торцевых поверхностей. При складывании цепи дальнейший рост зародыша в направлении цепи путем добавления новых порций полимера к поверхности складывания невозможен. Перестройка складки в результате диффузионного процесса в твердом состоянии или полное ее плавление с последующей рекристаллизацией - единственный путь увеличения длины складки. Бахромчатая поверхность в зародыше типа бахромчатой мицеллы характеризуется большей свободной энергией вследствие особой структуры поверхности раздела между кристаллической и аморфной областями ( разд. [12]
Общепринято, что действие этих веществ связано с их адсорбцией на поверхности субмикрозародышей, препятствующей дальнейшему росту зародышей. Кроме того, они изменяют поверхностное натяжение о между раствором и поверхностью зародыша, увеличивая работу образования зародыша. [13]
Начальное перенапряжение определяется фактически энергией, необходимой для локализации восстанавливающихся атомов металла ( образованием ад-атомов) и создания элементов новой фазы - докритических плоских ( двухмерных) зародышей. Последующий рост их до устойчивого ( критического) в данных условиях объемного зародыша ( г гкр) сопровождается понижением локальной поляризации до некоторого минимума, который соответствует, очевидно, энергии разряда ионов на одноименной основе, поскольку дальнейший рост зародыша критических размеров происходит уже самопроизвольно. [14]
 |
Кривая кинетики термического разложения твердой соли. [15] |
Страницы: 1 2