Дальнейший рост - кристалл
Cтраница 1
 |
Схема устройства ячейки трубчатого скребконого кристаллизатора. [1] |
Дальнейший рост кристалла на центре кристаллизации связан с доставкой молекул кристаллизующегося вещества к поверхности растущего кристалла. [2]
Дальнейший рост кристалла происходит путем добавления первого ряда молекул ( обозначенных на рис. IV.5 цифрой 1) вдоль нижнего края ступени. Следующий ряд молекул, обозначенный цифрой 2, присоединяется, как показано на рисунке, - молекулы осаждаются вдоль ступени, и одна присоединяется к концу первого ряда. Третий и четвертый ряды молекул осаждаются, как показано на рисунке, причем уже можно видеть, что фронт роста закручивается в спираль. [3]
Дальнейший рост кристалла может произойти только в том случае, если на поверхности уже существующего кристаллита появится гетерогенный зародыш. Следует указать, что эта модель не объясняет явления кручения. Для объяснения ступенчатого механизма образования зародышей и роста кристаллов Прайс использует идею Келлера о ветвлениях цепи, как о возможной неоднородности системы. [4]
Дальнейший рост кристаллов сопровождается резким увеличением на них числа граней куба. Причем этот характер неустойчивости гранной формы алмаза сохраняется в широком интервале р - Г - условий, а их влияние на габитус j наблюдается только на последующих этапах эволюции кристал - лов. [6]
Процесс дальнейшего роста кристаллов может быть до некоторой степени аналогичен их образованию. Молекуле растворенного вещества, попадающей на наружную грань кристалла, как показано многими авторами 7, легче присоединиться к последнему по этой грани, если на таковой уже имеется небольшой островок - двухмерный зародыш нового мономолекулярного слоя. При этом, как и в трехмерном случае, будет существовать некоторый критический размер двухмерного зародыша; зародыши меньших размеров неустойчивы и распадаются. [7]
С дальнейшим ростом кристалла амплитуда этих искажений растет быстрее среднего радиуса, так что сфера теряет устойчивость. Впрочем, сама по себе сфера без искажений неустойчива ( см. кривую / ( 2 0), так как на ней развиваются возмущения, приближающие ее к равновесной форме. При больших значениях г развитее таких возмущений стимулируется влиянием поля диффузии. Рост равновесной формы представлен на графике прямой линией, проходящей через начало координат. Кривые, для которых К2 0, описывают изменение амплитуды возмущений, находящихся не в фазе с равновесной формой. [8]
Образующиеся тонкие адсорбционные соли ан-тинакипинов препятствуют дальнейшему росту кристаллов или сильно замедляют его. В качестве антинакипинов могут быть использованы некоторые поверхностно-активные вещества ( ПАВ), таннин, полиакриловая кислота и другие соединения. [9]
В материале, охлажденном до температуры затвердевания, дальнейший рост кристаллов становится совершенно незначительным, хотя и может еще продолжаться и материал можно использовать в течение длительного срока эксплуатации. [10]
Это обсуждение показывает, что для выделения и дальнейшего роста Кристаллов необходимы поверхностные дефекты. [11]
Это обсуждение показывает, что для выделения и дальнейшего роста Кристаллов необходимы поверхностные дефекты. [12]
В конце концов сферолиты сталкиваются друг с другом и дальнейший рост кристаллов прекращается. [13]
В этом разделе рассмотрено дополнительное Зародышеобразование, необходимое для дальнейшего роста кристаллов после образования их первичных зародышей гомогенным или гетерогенным путем или в результате самозарождения ( разд. Экспериментальные данные, свидетельствующие о росте кристалла посредством образования зародышей на поверхности кристалла, представлены в разд. Далее рассмотрены принципы вторичного и третичного зародышеобразования ( разд. [14]
Наличие у частиц одноименных зарядов препятствует их сцеплению и дальнейшему росту кристаллов. Образовавшиеся заряженные улътрамикрокристаллики приобретают агрегативную устойчивость и остаются в жидкости, образуя коллоидный раствор. [15]
Страницы: 1 2 3 4