Дендритный рост

Cтраница 1

Дендритный рост как особая форма роста кристаллов наблюдается в тех случаях, когда процесс кристаллизации протекает очень быстро, например, при резком охлаждении расплава или раствора. [1]

Дендритный рост полупроводниковых кристаллов германия из сильно переохлажденных расплавов удается регулировать путем быстрого вытягивания затравки из расплава. [2]

В модели дендритного роста ( древовидная модель) происходит избирательность процесса агрегирования, когда относительно некоторого центра происходит агрегация сначала только определенного вида частиц, например, макромолекул асфальтенов. [3]

Фактически это форма дендритного роста, и нити часто разветвляются. Подобные наблюдения позволяют установить вектор Бюргерса осевой дислокации. Далее, поскольку дислокации в трех ветвях обязательно должны выходить с винтовой компонентой в соответствующей верхней поверхности, возможна только такая конфигурация, когда осевая дислокация является 45-градусной дислокацией ( фиг. Согласно Хирту и Франку [188], форма такой дислокации не является стабильной. [4]

Многие работы посвящены наблюдению дендритного роста, существование которого качественно подтверждает идею морфологической неустойчивости. [5]

Рассчитанные значения 6. [6]

Чтобы найти зависимость между скоростью дендритного роста v в плоскости, нормальной к оси роста, и плотностью тока i, необходимо предположить, что осаждаемые атомы не мигрируют на значительные расстояния от участков, на которых они осаждаются. [7]

Предложенная Бартоном и Бокрисом модель дендритного роста, равно как и уравнения, соответствующие этой модели, являются довольно грубым приближением; попытки более точного описания картины роста наталкиваются на трудности, связанные с описанием геометрии твердого тела. Наоборот, рассмотрение этого вопроса с точки зрения перенапряжения и зависимости составных частей общего перенапряжения от формы растущей поверхности, а также привлечение независимых данных может явиться в первое время путем использования электродной кинетики для понимания механизма электрохимического роста кристаллов. [8]

Существуют различные мнения о механизме дендритного роста. Металл заливается в изложницу. На ее стенках начинается кристаллизация - появляется мелкозернистая корка. Затем процесс кристаллизации распространяется на среднюю часть слитка, где образуются столбчатые кристаллы. Они растут в направлении отвода тепла. Вначале появляется своеобразный столб, потом ответвления от него. Так рождается дендрит - древовидный кристалл. Рост дендритов всегда идет в строго кристаллографических направлениях. [9]

До появления теории концентрационного переохлаждения считалось, что дендритный рост кристалла обусловлен переохлаждением расплава. [10]

Для некоторых целей, например для наблюдения за дендритным ростом в расплавленных солях, необходимо обеспечить циркуляционную конвекцию, для того чтобы температурный перепад от нижней части ячейки к верхней был незначительным. Конвекция над жидкостью может быть сведена к минимуму благодаря использованию насадки из стеклянной ваты. [11]

При весьма малых градиентах температурыи больших концентрационных переохлаждениях возможен дендритный рост. Толщина слоя примесей у фронта кристаллизации зависит от интенсивности перемешивания рас-тпора ( расплава) и скорости роста. [12]

В настоящей работе развивается теория локально неравновесного затвердевания [3] для описания дендритного роста. [13]

Первый связан с микроликвацией и возникает в результате изменений в направлении дендритного роста. Три кольца обычно проявляются в виде колец различного травления слитка или поковки; подобно многим микроструктурным неоднородностям это явление можно ослабить или полностью устранить с помощью гомогенизирующих обработок. Недавно предметом забот, связанных с проведением вакуумно-дугового переплава, стали дефекты слитков, проявляющиеся в виде белых пятен. Предложено немало теорий, трактующих проявление этих дефектов. Некоторые из них органически привязаны именно к механизмам вакуумно-дугового переплава. [14]

Одним из процессов, приводящих к нарушению монотонного распределения примеси вдоль слитка, является его ячеистый и дендритный рост, обусловленный явлением концентрационного переохлаждения, которое было обнаружено в 1953 г. Г. П. Иванцовым, а также Руттером и Чалмерсом. При этом часть расплава, примыкающая к фронту кристаллизации, оказывается в переохлажденном состоянии ( заштрихованная область на рис. 10), причем максимальное переохлаждение наблюдается на некотором расстоянии от границы раздела фаз. Плоская поверхность растущего слитка теряет устойчивость, на ней образуется множество бугорков, которые превращаются в выступы, быстро продвигающиеся в область более высокого переохлаждения. Когда участки роста отдельных выступов перекрываются, они образуют на поверхности энергетически более выгодную ячеистую структуру. [15]

Страницы: 1 2 3 4