Cтраница 2
Допускаются пайка и сварка выводов на расстоянии 0 5 мм от кристаллодержателя, при этом температура кристаллодержателя не должна превышать 150 С. Перед пайкой выводы промывают спиртом, а затем смачивают флюсом. [16]
![]() |
Питатель автомата АСКУ. [17] |
При этом пружина 4 сжимается, обеспечивая необходимое для контактной сварки осевое усилие и подачу колпачка ( осадку его) при оплавлении контактных поверхностей. В это время прерыватель 2 ( см. рис. 79) сварочного тока подает через сварочный трансформатор импульс и происходит сварка вывода с колпачком. [18]
Принцип работы предлагаемого устройства заключается в автоматической предварительной зависящей от точности перемещения стола, уста-нов изделия под оптическую ось луча и дальнейшем, более точном определении координат точки сварки с помощью электронного луча, мощностью недостаточной для обработки. В предлагаемом устройстве электронный луч выполняет две функции. Первая заключается в том, что электронно-лучевая установка переключается в режим растрового микроскопа и с помощью луча отыскивается местонахождение привариваемого вывода. Вторая заключается в сварке вывода с подложкой. [19]
Монтаж транзисторов осуществляется следующим образом. Взять пинцетом транзистор, поместить его на клей и осторожно прижать по периметру керамического держателя ( прижимающее усилие не должно превышать 5 Н) к плате и сушить при температуре 145 С в течение 45 мин. Сварка выводов допускается не ближе 2 мм от места выхода вывода из защитного покрытия. [20]
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре паяльником. Допускается пайка выводов на расстоянии 1 мм от корпуса при температуре пайки не выше 180 С, время пайки не более 3 с. Допускается припайка основания корпуса транзистора к радиатору. Температура пайки не более 160 С, скорость снижения темпеоатуры корпуса транзистора не более ГС / с, время пайки не более 10 мин. Допускается сварка выводов на расстоянии не менее 1 мм от корпуса, при этом температура корпуса транзистора не должна превышать 150 С и должны быть приняты меры по исключению возможности нарушения целостности конструкции. Допускается при монтаже транзистора в микрополосковые линии или подобные устройства обрезать выводы на расстоянии не менее 1 5 мм от корпуса. При этом усилие не должно передаваться на место соединения вывода с корпусом. Допускается обрезка фланца без передачи механических усилий на керамику. [21]