Высокотемпературный сверхпроводник

Cтраница 2

Ниже даны параметры некоторых объемных высокотемпературных сверхпроводников. [16]

Наиболее перспективными направлениями широкого использования высокотемпературных сверхпроводников считаются криоэнергетика и криоэлек-троника. В криоэнергетике уже разработана методика изготовления достаточно длинных ( длиной порядка 1000 метров) проводов и кабелей на основе висмутовых ВТСП-материалов. На основе этих материалов уже созданы сверхпроводящие соленоиды, создающие при температуре жидкого азота ( 77 К) магнитные поля порядка 1 Тл, вполне реально получить поля и в несколько тесла при азотной температуре. С другой стороны, соленоиды на основе ВТСП-материалов позволяют получить высокие значения магнитных полей при гелиевой температуре, так как у этих материалов верхнее критическое поле составляет сотни тесла. [17]

В настоящее время наибольшее количество высокотемпературных сверхпроводников получено на основе купратов различных металлов ( см. разд. [18]

Открытие в 1986 - 87 оксидных высокотемпературных сверхпроводников с Тс s 100 К открывает перспективы создания С. [19]

Особенно выгодно для этих целей применение высокотемпературных сверхпроводников. Традиционные низкотемпературные сверхпроводники в экранах ранее применялись редко из-за неэкономичности. Однако частичное проникновение внешнего магнитного потока в керамический сверхпроводник позволяет ожидать их применения для защиты устройств только от низкочастотных ( / 1 кГц) электромагнитных наводок. Получение протяженных монокристаллических сверхпроводящих экранов в настоящее время достаточно сложно. [20]

Перестройка энергетического спектра электронов в сверхпроводнике ( сплошная линия по сравнению с нормальным металлом ( пунктир. [21]

Muller) был открыт новый класс металлоксидных высокотемпературных сверхпроводников ( ВТСП) ( см. Оксидные высокотемпературные сверхпроводники, критич. К-рых в течение двух последующих лет была поднята от 30 - 35 К до 120 - 125 К. Эти сверхпроводники интенсивно изучаются, ведутся поиски новых, улучшаются технол, свойства существующих, на основе к-рых уже создаются нек-рые приборы. [22]

Тот факт, что во всех высокотемпературных сверхпроводниках присутствуют слои Си-О, казалось бы, является аргументом в пользу данной теории. Однако совсем недавно появилось сообщение о наблюдении признаков сверхпроводимости при температуре 90 К в соединении Уз О Nao os - Точный состав сверхпроводящей фазы пока не известен, но по крайней мере ясно, что магических атомов меди там нет, и вообще ни один из элементов нового высокотемпературного сверхпроводника не обладает магнитными свойствами. [23]

В нгизтоящее время широко изучены системы некоторых высокотемпературных сверхпроводников на основе купратов лантана, купратов иттрия-бария, ку-пратов висмута-кальция-стронция, купратов лантаноидов и актиноидов, висму-татов бария-калия и др., а также многочисленные их замещенные соединения. Характерными признаками высокотемпературных сверхпроводников являются наличие элементов с переменной степенью окисления, наличие слоистой и перовскитоподобной ( см. разд. Однако механизм высокотемпературной сверхпроводимости пока не выяснен. [24]

Сравнительная оценка различных методов контроля стехиометрического состава висмутсодержащих высокотемпературных сверхпроводников / / Жури, аналит. [25]

Эти факты объясняют наблюдавшееся в экспериментах с высокотемпературными сверхпроводниками значительное влияние тепловой релаксации. Показано, что для тепловых полей с неоднородным по координате объемным источником энергии ( например, влияние технологической неоднородности сверхпроводящей керамики) существует точка бифуркации. [26]

Сегнетоэластич, фазовые переходы испытывают многие кристаллы - высокотемпературные сверхпроводники, а также ионные суперпроводники. [27]

Теперь, когда во всем мире обсуждают свойства высокотемпературных сверхпроводников и перспективы их применений в науке и технике, многие моменты истории развития сверхпроводимости высвечиваются не так, как было до этого выдающегося открытия. [28]

Простейшая схема перемещения двойни-кую.. й дислокации вдоль двойниковой границы в YBa Cu O7 x. кружки - атомы кислорода в плоскости с CuO-цепочками, DD - след двойниковой границы. [29]

Покажем, что немалую роль в обратимой пластичности высокотемпературных сверхпроводников может играть псевдодвойникование. Рассмотрение перемещения двойникующей дислокации в решетке Y-Ba-Cu - О ( рис. 9.11) приводит к выводу [524], что сдвойникованная структура является зеркальным отражением материнского кристалла ( истинным двойником отражения), если одновременно с двойниковым сдвигом ато - - мов будет происходить диффузионный перескок атомов кислорода в базисной плоскости из позиции Ъ в позицию Л Быстрое перемещение двойниковой границы, за которым не успевают следовать диффузионные процессы, будет приводить к возникновению разупорядоченной структуры ( псевдодвойника) с избыточной объемной энергией. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5